Ge纳米晶,Ge nanocrystals,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) Ge nanocrystals 点击朗读

Ge纳米晶

Ge nanocrystals embedded in SiO2 thin films have been prepared by RF co-sputtering technique and post-annealing treatment.

用射频共溅射技术和后退火的方法,制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(ncGe/SiO2)。

Ge nanocrystals embedded in SiO\-2 gel\|glasses were prepared by a sol\|gel method. 点击朗读

以 3-三氯锗丙酸和正硅酸乙酯为原料 ,通过水解、缩聚凝胶热处理及氢气反应 ,在 Si O2 凝胶玻璃中析出立方相 Ge纳米晶 ,当 x=30时 ,凝胶玻璃中除了析出立方相 Ge纳米晶外 ,还析出六方相 Ge O2 。

The formation mechanism of Ge nanocrystals (nc-Ge) embedded in a SiO_2 amorphous film is studied.

研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制。

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2) Ge nanocrystal 点击朗读

Ge纳米晶

Local structure of Ge nanocrystals embedded in SiO_2 studied by Fluorescence EXAFS technique;

荧光EXAFS研究镶嵌在SiO_2中的Ge纳米晶的局域结构

Ge nanocrystal memory device can be programmed at a relatively low voltage and high speed.

Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。

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3) nanocrystalline Ge 点击朗读

Ge纳米晶

Study of Nanocrystalline Ge Preparation and Neutron Transmutation Doping; 点击朗读

Ge纳米晶制备及中子嬗变掺杂的研究

The novel phenomena of the nanocrystalline Ge (nc-Ge) directly prepared with high dose Ge ion implantation of 1×10 16 ,1×10 17 ,5×10 17 ,and 1×10 18 cm -2 respectively and without the subsequent annealing are presented.

报道了分别采用剂量为 1× 1 0 1 6 ,1× 1 0 1 7,5× 1 0 1 7和 1× 1 0 1 8cm- 2的高剂量 Ge离子注入 ,不需退火即可在 Si O2中直接形成 Ge纳米晶的新现象。

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4) nanosized Ge crystals 点击朗读

Ge纳米晶粒

5) multilayered Ge nanocrystals 点击朗读

多层Ge纳米晶

6) germanium nanocrystal (nc Ge) 点击朗读

纳米Ge

例句>>

补充资料：看纺织印染中应用纳米材料和纳米技术

纺织印染中应用纳米材料和纳米技术时，除了要解决纳米材料的制备技术之外，重要的是要解决好纳米材料的应用技术，其中关键问题是使纳米粒子和纺织印染材料的基本成分（即聚合物材料）之间处于适当的结合状态。印染中，纳米粒子在聚合物基体中的分散和纳米粒子在聚合物表面的结合是主要的应用技术问题。　　

制备聚合物/无机纳米复合材料的直接分散法，适用于各种形态的纳米粒子。印染中纳米粒子的使用一般采用直接分散法。但是由于纳米粒子存在很大的界面自由能，粒子极易自发团聚，利用常规的共混方法不能消除无机纳米粒子与聚合物基体之间的高界面能差。因此，要将无机纳米粒子直接分散于有机基质中制备聚合物纳米复合材料，必须通过必要的化学预分散和物理机械分散打开纳米粒子团聚体，将其均匀分散到聚合物基体材料中并与基体材料有良好的亲和性。直接分散法可通过以下途径完成分散和复合过程：　　

高分子溶液（或乳液）共混：首先将聚合物基体溶解于适当的溶剂中制成溶液（或乳液），然后加入无机纳米粒子，利用超声波分散或其他方法将纳米粒子均匀分散在溶液（或乳液）中。有人将环氧树脂溶于丙酮后加入经偶联剂处理过的纳米TiO2，搅拌均匀，再加入 40wt%的聚酰胺后固化制得了环氧树脂/TiO2纳米复合材料。还有人将纳米SiO2粒子用硅烷偶联剂处理后，改性不饱和聚酯。　　

熔融共混：将纳米无机粒子与聚合物基体在密炼机、双螺杆等混炼机械上熔融共混。如将PMMA和纳米SiO2粒子熔融共混后，双螺杆造粒制得纳米复合材料。又如利用偶联剂超声作用下处理纳米载银无机抗菌剂粒子，分散制得PP/抗菌剂、PET/抗菌剂、PA/抗菌剂等复合树脂，然后经熔融纺丝工艺加工成抗菌纤维。研究表明，将经过表面处理的纳米抗菌剂粒子通过双螺杆挤出机熔融混炼，在聚合物中可以达到纳米尺度分散，获得了具有良好综合性能的纳米抗菌纤维，对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌的抗菌率达到95%以上（美国AATCC－100标准）。　　

机械共混：将偶联剂稀释后与碳纳米管混合，再与超高分子量聚乙烯（UHMWPE）混合放入三头研磨机中研磨两小时以上。将研磨混合物放入模具，热压，制得功能型纳米复合材料。　　

聚合法：利用纳米SiO2粒子填充（Poly（HEMA））制备了纳米复合材料。纳米SiO2粒子首先被羟乙基甲基丙烯酸（HEMA）功能化，然后与HEMA单体在悬浮体系中聚合。还有利用SiO2胶体表面带酸性，加入碱性单体4－乙烯基吡咯进行自由基聚合制得包覆型纳米复合材料。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

Ge/Si纳米多层膜 Ge-SiO_2纳米薄膜纳米晶体 KZnF_3纳米晶纳米晶纳米晶化

Ge纳米粒子 Ge纳米结构纳米Ge颗粒纳米Ge薄膜 Ge纳米薄膜

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	您的位置：首页 -> 词典 -> Ge纳米晶 1) Ge nanocrystals Ge纳米晶 1. Ge nanocrystals embedded in SiO2 thin films have been prepared by RF co-sputtering technique and post-annealing treatment. 用射频共溅射技术和后退火的方法,制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(ncGe/SiO2)。 2. Ge nanocrystals embedded in SiO\-2 gel\\|glasses were prepared by a sol\\|gel method. 以 3-三氯锗丙酸和正硅酸乙酯为原料 ,通过水解、缩聚凝胶热处理及氢气反应 ,在 Si O2 凝胶玻璃中析出立方相 Ge纳米晶 ,当 x=30时 ,凝胶玻璃中除了析出立方相 Ge纳米晶外 ,还析出六方相 Ge O2 。 3. The formation mechanism of Ge nanocrystals (nc-Ge) embedded in a SiO_2 amorphous film is studied. 研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制。更多例句>> 2) Ge nanocrystal Ge纳米晶 1. Local structure of Ge nanocrystals embedded in SiO_2 studied by Fluorescence EXAFS technique; 荧光EXAFS研究镶嵌在SiO_2中的Ge纳米晶的局域结构 2. Ge nanocrystal memory device can be programmed at a relatively low voltage and high speed. Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。更多例句>> 3) nanocrystalline Ge Ge纳米晶 1. Study of Nanocrystalline Ge Preparation and Neutron Transmutation Doping; Ge纳米晶制备及中子嬗变掺杂的研究 2. The novel phenomena of the nanocrystalline Ge (nc-Ge) directly prepared with high dose Ge ion implantation of 1×10 16 ,1×10 17 ,5×10 17 ,and 1×10 18 cm -2 respectively and without the subsequent annealing are presented. 报道了分别采用剂量为 1× 1 0 1 6 ,1× 1 0 1 7,5× 1 0 1 7和 1× 1 0 1 8cm- 2的高剂量 Ge离子注入 ,不需退火即可在 Si O2中直接形成 Ge纳米晶的新现象。更多例句>> 4) nanosized Ge crystals Ge纳米晶粒 5) multilayered Ge nanocrystals 多层Ge纳米晶 6) germanium nanocrystal (nc Ge) 纳米Ge 例句>> 补充资料：看纺织印染中应用纳米材料和纳米技术纺织印染中应用纳米材料和纳米技术时，除了要解决纳米材料的制备技术之外，重要的是要解决好纳米材料的应用技术，其中关键问题是使纳米粒子和纺织印染材料的基本成分（即聚合物材料）之间处于适当的结合状态。印染中，纳米粒子在聚合物基体中的分散和纳米粒子在聚合物表面的结合是主要的应用技术问题。　　制备聚合物/无机纳米复合材料的直接分散法，适用于各种形态的纳米粒子。印染中纳米粒子的使用一般采用直接分散法。但是由于纳米粒子存在很大的界面自由能，粒子极易自发团聚，利用常规的共混方法不能消除无机纳米粒子与聚合物基体之间的高界面能差。因此，要将无机纳米粒子直接分散于有机基质中制备聚合物纳米复合材料，必须通过必要的化学预分散和物理机械分散打开纳米粒子团聚体，将其均匀分散到聚合物基体材料中并与基体材料有良好的亲和性。直接分散法可通过以下途径完成分散和复合过程：　　高分子溶液（或乳液）共混：首先将聚合物基体溶解于适当的溶剂中制成溶液（或乳液），然后加入无机纳米粒子，利用超声波分散或其他方法将纳米粒子均匀分散在溶液（或乳液）中。有人将环氧树脂溶于丙酮后加入经偶联剂处理过的纳米TiO2，搅拌均匀，再加入 40wt%的聚酰胺后固化制得了环氧树脂/TiO2纳米复合材料。还有人将纳米SiO2粒子用硅烷偶联剂处理后，改性不饱和聚酯。　　熔融共混：将纳米无机粒子与聚合物基体在密炼机、双螺杆等混炼机械上熔融共混。如将PMMA和纳米SiO2粒子熔融共混后，双螺杆造粒制得纳米复合材料。又如利用偶联剂超声作用下处理纳米载银无机抗菌剂粒子，分散制得PP/抗菌剂、PET/抗菌剂、PA/抗菌剂等复合树脂，然后经熔融纺丝工艺加工成抗菌纤维。研究表明，将经过表面处理的纳米抗菌剂粒子通过双螺杆挤出机熔融混炼，在聚合物中可以达到纳米尺度分散，获得了具有良好综合性能的纳米抗菌纤维，对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌的抗菌率达到95%以上（美国AATCC－100标准）。　　机械共混：将偶联剂稀释后与碳纳米管混合，再与超高分子量聚乙烯（UHMWPE）混合放入三头研磨机中研磨两小时以上。将研磨混合物放入模具，热压，制得功能型纳米复合材料。　　聚合法：利用纳米SiO2粒子填充（Poly（HEMA））制备了纳米复合材料。纳米SiO2粒子首先被羟乙基甲基丙烯酸（HEMA）功能化，然后与HEMA单体在悬浮体系中聚合。还有利用SiO2胶体表面带酸性，加入碱性单体4－乙烯基吡咯进行自由基聚合制得包覆型纳米复合材料。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条 Ge/Si纳米多层膜 Ge-SiO_2纳米薄膜纳米晶体 KZnF_3纳米晶纳米晶纳米晶化

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