1)  LP-MOCVD
LP-MOCVD
1.
The Study of InAs_xSb_(1-x) on GaSb Substrate Grown by LP-MOCVD;
GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究
2.
Control of In Content for InGlP Double Heterojunction Grown by LP-MOCVD;
LP-MOCVD生长InGaAlP双异质结中In组分控制的研究
3.
The Study on Multiple Quantum Well of TensileStrained InGaAs/InP Grown by LP-MOCVD;
LP－MOCVD生长伸张应变InGaAs／InP多量子阱的研究
2)  LP-MOCVD
低压MOCVD
1.
Growth and Properties of Single Crystalline GaAs Layer Grown on Si Subtrates by LP-MOCVD;
低压MOCVD法生长GaAs／Si单晶膜及膜的特性研究
2.
Growth of ZnSe Epilayers on Silicon Substrate by LP-MOCVD;
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长
3.
P-GaN bulk material and p-InGaN/GaN superlattice used as p-contact layer are grown by low pressure metal organic chemical vapor deposition(LP-MOCVD),and their specific contact resistivity(SCR)is measured by circular transmission line model(CTLM).
利用低压MOCVD系统,获得了p-GaN和p-InGaN/GaN超晶格结构2种材料,用圆形传输线模型(CTLM)测量了它们的比接触电阻率,并对表面处理、金属沉积和合金化处理的工艺条件进行了优化,得到了550℃、O2氛围下合金30min的最佳条件,获得最低的比接触电阻率为1。
3)  LP-MOCVD
低压金属有机化学气相沉积
1.
InAs Self-assembled Quantum Dots Grown on (001)InP by LP-MOCVD;
报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80me
4)  LP-MOCVD
低压金属有机化学气相淀积
1.
The growth of ZnCdSe/ZnSe quantum well on N-treated Si substrates which were covered with ZnO by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) was made.
在此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相淀积 (LP MOCVD)方法生长了较高质量的ZnCdSe/ZnSe量子阱。
5)  LP-MOCVD
有机金属化学气相外延
1.
The 2D simulations of flow,temperature in low pressure metalorganic chemical vapour deposition(LP-MOCVD) were described by finite volume method.
本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在。
6)  LP-MOCVD
低压有机金属化学气相外延
参考词条
补充资料：MOCVD
分子式：
CAS号：

性质：用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度下进行外延生长。MOCVD技术主要应用于III-V族II-VI族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜。该技术工艺可控，操作简便及适用于大规模生产等优点。其缺点是所用源材料为易燃剧毒物质。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。