1)  Lp-MOCVD
低压金属有机气相外延
2)  low pressure
低压
1.
Synthesis of crystalline unsaturated polyester for low pressure SMC;
低压片状模塑料用结晶不饱和聚酯树脂的合成
2.
Design improvement of open low pressure acetylene generator;
敞开式低压乙炔发生器设计改进
3.
Application of JW2000 mm low pressure-uniform temperature type methanol synthesis reactor;
JWФ2000mm低压均温型甲醇合成塔应用
3)  low-pressure
低压
1.
It is sucessfully applied to the temperature control system for the low-pressure vacuun sinteringfurnaces.
在模糊理论的基础上提出了一种改进算法──参数目调整Ｆｕｚｚｙ－ＰＩ算法，并成功地应用于低压真空烧结炉的控温系统中。
2.
Calculating reference was deficiency for engineering design on muddy water delivery in low-pressure pipeline irrigation system.
浑水低压管道输水灌溉工程设计中,由于缺乏相关计算依据,其临界不淤流速多借用有关管道输送的临界不淤流速公式计算确定,管道阻力损失计算一般直接利用清水管道计算公式,因此其计算误差较大,适用性和可靠性差。
3.
The phenomenon of condensation of low-pressure vapor in a horizontal tube is studied.
结合蒸发式冷凝器的设计，对水平管内低压蒸汽冷凝现象进行了实验研究。
4)  low-voltage
低压
1.
Tow questions relates to design and type selection of low-voltage incoming circuit breaker;
低压进线断路器设计选型的两个问题
2.
Low-voltage power distribution system grounding of hydropower station;
浅议水电站低压配电系统接地
3.
The article introduces the application of geographical information system(GIS)in low-voltage power distribu- tion in order to improve the power supply service and the power enterprises benefit.
文章通过介绍地理信息系统(GIS)及其在低压配电中的应用,以提高供电服务质量和电力企业效益。
5)  low voltage
低压
1.
Study on AC etching process of aluminum capacitor foil for low voltage applications;
低压铝箔交流腐蚀工艺研究
2.
A low voltage AC servo drive based on TMS320F2812;
一种基于TMS320F2812设计的低压交流伺服驱动器
3.
A body effect compensated switch for low voltage switched-capacitor circuits;
一种适用于低压SC电路的体效应补偿开关
6)  Low Pressure Casting
低压铸造
1.
Realization of Fuzzy-PID in PLC for Low Pressure Casting Control System;
低压铸造控制系统中模糊PID在PLC中的实现
2.
Effects of Processing Parameters on Filling Behavior of Thin-walled Casting in Low Pressure Casting;
工艺参数对低压铸造薄壁件充型能力的影响
3.
Aluminum Alloy Motor Enclosure in Low Pressure Casting;
电动机机座低压铸造工艺
参考词条
补充资料：气相外延
分子式：
CAS号：

性质：在气相状态下，将半导体材料淀积在单晶片上，使它沿着单晶片的结晶轴方向生长出一层厚度和电阻率合乎要求的单晶层，这一工艺称为气相外延。其特点有（1）外延生长温度高，生长时间长，因而可以制造较厚的外延层；（2）在外延过程中可以任意改变杂质的浓度和导电类型。工业生产常用的气相外延工艺有：四氯化硅（锗）外延，硅（锗）烷外延、三氯氢硅及二氯二氢硅等（二氯二氢硅具有淀积温度低，沉积速度快，淀积成膜均匀等优点）外延等。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。