1) MgxZn1-xO thin films
MgxZn1-xO晶体薄膜
1.
MgxZn1-xO thin films were grown on SiO2/Si(100) using reactive electron beam evaporation technology at low temperature.
采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100)生长出了MgxZn1-xO晶体薄膜。
2) MgxZn1-xO thin films
MgxZn1-xO薄膜
1.
The influence of Mg2+ dopants on the microstructure and optical property of MgxZn1-xO thin films were investigated in detail.
30时,MgxZn1-xO薄膜为纤锌矿结构,随着x值的增加,晶格常数c逐渐减小,a逐渐增大,但晶胞体积V几乎不变;当0。
2.
This paper wants to introduce the fabrication techniques, structural and optoelectronic properties and potential application of wide-band-gap semiconductor MgxZn1-xO thin films.
本文旨在介绍宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜的基本性质,制备方法及应用前景。
3) MgxZn1-xO∶Al thin film
MgxZn1-xO∶Al薄膜
4) p-type MgxZn1-xO film
p型MgxZn1-xO薄膜
1.
p-type MgxZn1-xO film was grown on semi-insulating GaAs substrate by metal-organic chemical vapor deposition.
稳定的p型MgxZn1-xO薄膜的获得为制备MgxZn1-xO同质结和发光二极管奠定了基础。
5) hexagonal Mg_xZn_(1-x)O films
六角MgxZn1-xO薄膜
6) Mg xZn 1-xO nanofilms
MgxZn1-xO纳米薄膜
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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