1) Mg_xZn_(1-x)O
MgxZn1-xO
1.
Mg_xZn_(1-x)O precursors,in which x was from 0.
3)的MgxZn1-xO前驱体,并对它进行不同温度的热处理(550℃~1000℃)。
2) MgxZn1-xO thin films
MgxZn1-xO薄膜
1.
The influence of Mg2+ dopants on the microstructure and optical property of MgxZn1-xO thin films were investigated in detail.
30时,MgxZn1-xO薄膜为纤锌矿结构,随着x值的增加,晶格常数c逐渐减小,a逐渐增大,但晶胞体积V几乎不变;当0。
2.
This paper wants to introduce the fabrication techniques, structural and optoelectronic properties and potential application of wide-band-gap semiconductor MgxZn1-xO thin films.
本文旨在介绍宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜的基本性质,制备方法及应用前景。
3) Mg xZn 1-xO films
MgxZn1-xO合金
4) cubic MgXZn1-X O film
立方相MgxZn1-xO
5) MgxZn1-xO∶Al thin film
MgxZn1-xO∶Al薄膜
6) MgxZn1-xO thin films
MgxZn1-xO晶体薄膜
1.
MgxZn1-xO thin films were grown on SiO2/Si(100) using reactive electron beam evaporation technology at low temperature.
采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100)生长出了MgxZn1-xO晶体薄膜。
补充资料：4-0xo-4,5,6,7-tetrahydroindole
CAS：13754-86-4
分子式：C8H9NO
分子质量：135.16
熔点：188-190℃
中文名称：1,5,6,7-四氢-4H-吲哚-4-酮；4-氧代-1,5,6,7-四氢吲哚
英文名称：1,5,6,7-tetrahydro-4h-indol-4-one；4-Oxo-1,5,6,7-tetrahydroindole；4-0xo-4,5,6,7-tetrahydroindole
性状描述：浅黄色结晶（苯/环己烷）。熔点188-190℃ 。
生产方法：用间苯二酚在氢氧化钾参与下以镍催化氢化并异构化，生成3-酮基环己-1-烯醇钾，然后与溴代丙酮酸乙酯环合得4-氧代-4,5,6,7-四氢古马龙羧酸-3，进而以氨置换后者呋喃环上的氧并消除（脱羧）得到该品。
用途：心得静的中间体。
分子式：C8H9NO
分子质量：135.16
熔点：188-190℃
中文名称：1,5,6,7-四氢-4H-吲哚-4-酮；4-氧代-1,5,6,7-四氢吲哚
英文名称：1,5,6,7-tetrahydro-4h-indol-4-one；4-Oxo-1,5,6,7-tetrahydroindole；4-0xo-4,5,6,7-tetrahydroindole
性状描述：浅黄色结晶（苯/环己烷）。熔点188-190℃ 。
生产方法：用间苯二酚在氢氧化钾参与下以镍催化氢化并异构化，生成3-酮基环己-1-烯醇钾，然后与溴代丙酮酸乙酯环合得4-氧代-4,5,6,7-四氢古马龙羧酸-3，进而以氨置换后者呋喃环上的氧并消除（脱羧）得到该品。
用途：心得静的中间体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条