1) thermal mismatch
热失配
1.
he multilayer strncture composed of a glass film, a platinumfilm and an a-Al_2O_3 substrate has been studied by using the technique ofX-ray double crystaldiffraetion and it is found that different glass materials result in different stressesin the Pt film caused by thermal mismatch within the multilayer materials.
发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。
2) thermal expansion coefficient mismatch
热胀失配
1.
A model of the effect of residual stress produced by thermal expansion coefficient mismatch on the fracture toughness at elevated temperature has been developed for this composite.
研究了由于热胀失配所产生的残余应力对Al2O3／TiB2陶瓷复合材料的高温断裂韧性KIC的影响。
3) thermal mismatching stress
热失配应力
1.
Analysis showed that the thermal mismatching stress was induced by the difference of thermal expansion coefficient between austenite and ferrite during quenching,and it caused the the increase of residual thermal stress in the specimens after quenching.
经分析发现,在淬火过程中因奥氏体和铁素体热膨胀系数不同而产生的热失配应力增加了试验后试样内残余热应力,较大的残余热应力在金相腐蚀过程中诱发了微裂纹;并理论上计算了热失配应力单独作用下淬火过程中微裂纹产生的临界淬火温降,为工业生产提供了理论参考。
4) Ceramic cutting tools/Thermal expansion mistmatch
陶瓷刀具/热胀失配
5) mismatching
[英][,mis'mætʃ] [美][mɪs'mætʃ]
失配
1.
Introduction was made to measurement error analysis caused by resistance mismatching in microwave measurement.
微波测量系统被广泛用于各种无线电专业领域的信号测量,介绍了在微波测量中由于阻抗失配引起的测量误差分析。
6) Mismatch
[英]['mɪsmætʃ] [美]['mɪs'mætʃ]
失配
1.
Effect of mismatch of yielding strength and residual stresses along substrate interface on interfacial crack propagation;
基体界面屈服强度和残余应力失配对界面裂纹扩展的影响
2.
The Deformation Behaviors and the Strength of Welded Joints with Mechanical Properties Mismatch;
力学性能失配焊接接头的强度及变形行为
3.
But the pedormance of GLRT will decrease greatly with the mismatch of steering vector because of the unknown velocity of the target.
广义似然比检测(Generalized Likelihood Ratio Test,GLRT)是解决复合高斯杂波下距离扩展目标检测问题的一种有效方法,而当目标速度未知时,对于毫米波等高频雷达而言,速度估计误差将造成方向矢量(steering vector)失配,从而导致GLRT性能的严重下降。
补充资料：失配位错
失配位错
misfit disloc，士;八。。
失配位错misfit disloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错。F.C.弗兰克(F rank)和范德米尔(Vande Merwe)于1949年首次预言失配位错的存在，并描述了它们若干重要性质。首次实验演示则于1956年实现:锗中杂质硼、硅或锡引起区域性成分变化，导致晶格常数的微小变化，可以观测到这些区域边界处失配位错的存在。 失配位错最常出现在晶体薄膜与衬底的界面上、合金中的脱溶粒子周围、三维“岛”与其基体之间等。主要的实验观察方法是电子显微术。近年来得知在半导体“超晶格”结构中的内界面上产生的失配位错对于器件性能有重要影响，因为它们是杂质原子的从尤坐位，是掺杂物质的高扩散通道，并且是有效的复合中心。关于失配位错的扩散运动行为也有相当的研究，即材料温度升高时，界面上的失配位错有一些会以某种方式迁移到晶体内部去。若设扩散以空位机制进行，则失配位错扩散运动的策动力大致可分为3个部分:由扩散导致应力场所施之力;由于空位不平衡浓度产生之力(与克肯代尔效应联系);失配位错彼此间所施之力。对此种运动实验和理论都进行了不少工作。 失配位错对晶间互扩散起一定作用。失配应变可用来提高晶体完整性。 失配位错的模型构想及理论处理与晶界位错有一定联系，但不应忽视二者间的区别(见小角晶界)o (杨顺华)
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参考词条