1) lattice mismatch
晶格失配
1.
Molecular dynamics simulation of the influence of lattice mismatch on cross-plane superlattice thermal conductivity;
晶格失配对超晶格法向导热系数影响的分子动力学模拟
2.
The effect of lattice mismatch on the nucleation process of heteroepitaxial growth of ultrathin film;
晶格失配对异质外延超薄膜生长中成核特性的影响
3.
Based on the equilibrium of combined girders, a set of models for the strain and stress distributions in heterostructures introduced by lattice mismatch, thermal mismatch and the combination of the two factors are set up, and the analytic solutions, including lattice mismatch strain, thermal mismatch strain, bending strain and the radius of curvature of the system, are also given.
基于组合杆的平衡条件,分别建立了晶格失配、热失配以及由两者共同导致的异质结构应变和应力分布模型,并获得了异质结构的晶格失配应变、热失配应变、弯曲应变以及曲率半径的分析解。
2) Lattice mismatching
晶格失配
1.
Lattice mismatching between different materials significantly forbids epitaxial growth of hetero structured films.
实验上已经得出了在MoS2 基板上外延生长C60 薄膜的结果 ,本文用分子动力学计算机模拟方法对MoS2 基板上外延生长C60 薄膜进行了研究 ,证实范德瓦尔斯外延可以克服较大的晶格失配问题。
2.
The relationship among the lattice mismatching of HgCdTe/CdZnTe,the X-ray topography and the detectivity(D*) of the IRFPA was studied.
研究了外延薄膜/衬底晶格失配度、X光衍射貌相、红外焦平面器件探测率三者之间的关系。
3) Lattice misfit eneray
晶格失配能
4) crystal lattice mismatch
界面晶格失配
6) misfit dislocation
(晶格)失配位错
补充资料：失配位错
失配位错
misfit disloc，士;八。。
失配位错misfit disloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错。F.C.弗兰克(F rank)和范德米尔(Vande Merwe)于1949年首次预言失配位错的存在，并描述了它们若干重要性质。首次实验演示则于1956年实现:锗中杂质硼、硅或锡引起区域性成分变化，导致晶格常数的微小变化，可以观测到这些区域边界处失配位错的存在。 失配位错最常出现在晶体薄膜与衬底的界面上、合金中的脱溶粒子周围、三维“岛”与其基体之间等。主要的实验观察方法是电子显微术。近年来得知在半导体“超晶格”结构中的内界面上产生的失配位错对于器件性能有重要影响，因为它们是杂质原子的从尤坐位，是掺杂物质的高扩散通道，并且是有效的复合中心。关于失配位错的扩散运动行为也有相当的研究，即材料温度升高时，界面上的失配位错有一些会以某种方式迁移到晶体内部去。若设扩散以空位机制进行，则失配位错扩散运动的策动力大致可分为3个部分:由扩散导致应力场所施之力;由于空位不平衡浓度产生之力(与克肯代尔效应联系);失配位错彼此间所施之力。对此种运动实验和理论都进行了不少工作。 失配位错对晶间互扩散起一定作用。失配应变可用来提高晶体完整性。 失配位错的模型构想及理论处理与晶界位错有一定联系，但不应忽视二者间的区别(见小角晶界)o (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条