1) InGaP/GaAs HBT orientation effect
InGaP/GaAsHBT晶向效应
2) InGaP/GaAs HBT
InGaP/GaAsHBT
1.
A new simplified VBIC model for a single- or a multi-finger InGaP/GaAs HBT is presented.
测量和模型仿真I -V特性及其在多偏置条件下多频率点S 参数对比结果表明,DC~9GHz频率范围内,简化后的模型可对InGaP/GaAsHBT交流小信号特性进行较好的表征。
2.
A 10Gb/s driver IC for optic modulator has been implemented using our 4-inch InGaP/GaAs HBT process.
采用自行研发的 4英寸InGaP/GaAsHBT技术 ,设计和制造了 10Gb/s光调制器驱动电路 。
3) InGaP/GaAs HBT model
InGaP/GaAsHBT模型
4) improved device characteristics
提高InGaP/GaAsHBT的性能
5) InGaP/InP SLSs
InGaP/InP应变超晶格
6) lateral fet
横向场效应晶体管
补充资料：二向色性效应
分子式：
CAS号：
性质：又称二向色性效应。物体在两个垂直方向上对面偏振光表现出不同的吸收特性。通常利用该效应研究物质的各向异性结构。例如，结晶态与取向态聚合物以及聚合物流体的剪切流动都存在二色效应。通过研究二色效应可以研究聚合物的结构和性能，如取向度、高分子链的构象与形态结构等。
CAS号：
性质：又称二向色性效应。物体在两个垂直方向上对面偏振光表现出不同的吸收特性。通常利用该效应研究物质的各向异性结构。例如，结晶态与取向态聚合物以及聚合物流体的剪切流动都存在二色效应。通过研究二色效应可以研究聚合物的结构和性能，如取向度、高分子链的构象与形态结构等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条