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1)  de-excitation resistance
灭磁电阻
1.
This paper discussed the calculation and select method of de-excitation resistance absorbing energy capacity,when the synchronous generator adopt speedy transfer energy de-excitation.
探讨了同步发电机采用快速移能灭磁时 ,其灭磁电阻吸收能量容量的计算及选择方法。
2)  Resistor magnetism extinguishing
电阻灭磁
3)  silicon controlled electronic field suppressing switch
灭磁ZnO电阻
4)  field suppressing resistor
灭磁电阻器
5)  demagnetizing resistance
去磁电阻,灭磁电阻
6)  disposition of de-excitation resistance
灭磁电阻配置
补充资料:磁电阻效应


磁电阻效应
magneto-resistance effect

磁电阻效应magneto一resistanee effect强磁性、弱磁性金属和半导体材料的电阻率在磁场中产生的变化现象。简称磁阻效应。它是电流磁效应中的一种,与磁路中的磁阻不同。1856年W.汤姆孙(Thomson)首先发现金属的磁电阻效应。1930年L.W.舒布尼科夫(Shubnikov)和W.J.德哈斯(de Haas)发现金属秘(Bi)单晶体的电阻率在低温下随磁场变化时而发生振荡的现象。 磁电阻效应的产生,是由于磁场或磁有序状态改变了导体和半导体中载流子(电子和空穴)的散射情况,因而使电阻改变。广义的磁电阻效应有:①磁致电阻效应。又称汤姆孙效应。简称磁电阻效应、磁阻效应。②磁致电阻率振荡效应。常称舒布尼科夫一德哈斯效应。③磁致电阻率最小效应。又称近藤效应。磁(致)电阻效应表现在Fe、Ni等铁磁金属,在纵向(测电阻方向)磁化时,电阻率增加;在横向(垂直于测电阻方向)磁化时,电阻率减小。磁(致)电阻效应表现在Bi、Sb等抗磁性金属,则是在任何方向的磁场下,电阻率都增加,杂质对电阻率的影响显著。Bi的磁电阻效应最大,可用于测量磁场。钱普贝尔(Cham曲elD总结的实验性规律为:弱磁(抗磁和顺磁)性金属,不论在纵向或横向磁场中,磁电阻都增加,电阻增量约与磁场强度平方成正比;铁磁性金属,在纵向磁场中起初迅速增大,然后趋向饱和,但在横向磁场中,却是开始时缓慢减小,然后迅速减小,最后趋向饱和。 磁电阻效应已在磁记录头和磁传感器中得到应用。磁致电阻率振荡的舒布尼科夫一德哈斯效应,在低温强磁场情况下,在半金属和高g因数半导体(如Insb,1llAs)中特别显著,可用于研究能级结构和电子有效质量,还可研究一些物质的费米(Fermi)面。在电阻率温度关系中出现最小值的近藤效应,与固体中磁性掺杂和磁状态等密切相关,因而在磁学和固体理论研究中有重要应用。(李国栋)
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