1) magnetoresistor
[mæɡ,ni:təuri'zistə]
磁敏电阻
1.
The research is based on properties of magnetoresistor,whose resistance varies with the angle position in the magnetic field.
对磁敏电阻的阻值随其在磁场中的角度位置变化而改变这一特性进行了实验研究。
2.
The temperature characteristic of the InSb-In eutectic film magnetoresistor was researched.
研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成。
3) InSb magnetoresistor
InSb磁敏电阻
1.
Study on pulsed eddy current sensor of InSb magnetoresistor;
InSb磁敏电阻脉冲涡流传感器的研究
2.
This paper has a research on the pulsed eddy current nondestructive testing system based on InSb magnetoresistor, including hardware and software design.
本文研究了基于InSb磁敏电阻的脉冲涡流无损探伤系统,包括硬件的设计和软件的设计。
4) magneticresistor
磁敏电阻器
1.
The temperature detect switch including a magneticresistor and a single processing circuit has a high sensitivity and a wide temperature control range.
介绍一种用InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻器(MR)制成的双限温度开关的温控机理和特性。
5) latticed magnetoresistance
格子形磁敏电阻
6) dual degaussing thermistor
双消磁热敏电阻
1.
The solution scheme based on dual degaussing thermistor is proposed through analysis of the basic reasons from degaussing circuits.
论述了74 cm、86 cm大屏幕纯平彩电在消磁中出现的典型问题，从消磁回路分析其基本成因入手，提出了以双消磁热敏电阻为基础的双消磁回路的整体解决方案，并通过相关整机厂的批量应用实例，总结该方案的实际应用效果。
补充资料：磁敏电阻材料
磁敏电阻材料
magneto sensitive resistance materials
电子迁移率分别为5.6一6.sm“/(V·s)和2.。一2.5m州(V·s)。Insb的禁带宽度小，受温度影响大。GaAs的禁带宽度大，电子迁移率也相当大助.802/(V·s)〕，受温度影响小，且灵敏度也高。镍钻合金和镍铁合金的电阻温度系数小，性能稳定，灵敏度高，且具有方向性，可制作强磁性磁阻器件，用于磁阻的检测等方面。用半导体材料制作的磁敏电阻器、无触点电位器、模拟运算器和磁传感器等应用于测量、计算机、无线电和自动控制等方面。半导体Insb一NISb磁敏电阻器用于磁场、电流、位移和功率测量及模拟运算器等方面，其阻值为10n一1 kn，相对灵敏度6一18(B一IT)，温度系数一2.9%一。.09%(1/℃)(B一IT)，极限工作频率l~10MH:。在测量小于0.olT的弱磁场时，必须附加以偏置磁场才能进行。Ni一C。薄膜磁敏电阻器主要用子探测磁场方向、磁带位置检测、测量和控制转速或速度以及无触点开关等方面。阻值有L10、250k几，相对灵敏度2%以上(3 XIO一“T下)，温度系数3DOO士500火10一“(1/’C)，感应磁场3X10一“T以上，工作温度一55一150‘C。在检测磁场反转或可逆磁场以下的磁信号时，也应采用偏置磁场。 磁敏电阻材料的发展与半导体材料的开发密切相关。发展趋势是:开发高准确度、高灵敏度、低噪声、高稳定性和可靠性以及多功能的磁敏器件与材料;研制非金属和金属化合物半导体、固溶体半导体、共晶体和共晶薄膜磁敏材料。C Im旧dlo门2日己OJ{100磁敏电阻材料(magneto Sensitiveresistaneematerials)对磁场敏感，具有磁阻效应的电阻材料。这种材料能通过磁阻效应将磁信号转换成电信号。磁阻效应包括材料的电阻率随磁场而变化和元件电阻值随磁场而变化两种现象。前者称磁电阻率效应或物理磁阻效应，后者称为磁电阻效应或几何磁阻效应。 磁场作用在导体上的各种物理效应(霍耳效应、磁阻效应)早在1879一1883年间在金属中就发现了，但因效应不显著，长期以来未得到广泛应用。半导体出现后，在_20世纪50年代后半期开发了高迁移率的新型化合物半导体材料，如锑化锢(Insb)等，也促进了霍耳器件和磁阻器件的研究、开发和应用。 磁敏电阻材料主要是电子迁移率大的半导体材料，还有铁镍钻合金。常用的半导体有Insb(或Insb一Nisb共晶材料)、砷化锢(InAs)和碎化稼(GaAs)等材料，一般用N型。高纯度Insb和InA。的
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参考词条