1) nonlinear coefficient
非线性系数
1.
Research on dispersion compensating property and nonlinear coefficient of photonic crystal fibers;
光子晶体光纤色散补偿特性和非线性系数的研究
2.
Z-scan Technology Mensuration About Nonlinear Coefficient of Cu(mpo)_2;
Z-扫描技术对Cu(mpo)_2非线性系数的测定
3.
We obtain the transmission coefficient and incidence amplitude of wave by iterating the difference equation,and investigate the variation of transmitting incidence amplitude under the condition of different nonlinear coefficient.
把非线性薛定谔方程转化成二阶差分方程,通过迭代此差分方程得到入射波幅和透射系数,讨论了非线性系数不同时可透射的入射波幅的变化。
2) non-linear coefficient
非线性系数
1.
Forα-SiC,the resistivityρ 0 is decreased and the non-linear coefficientβis increased with the increasing of SiC powder size,whereas the resistivityρ 0 is increased and the non-linear coefficientβis decreased with the decreasing of SiC powder size.
前人研究结果表明,对于α-SiC,颗粒越粗,电阻率ρ0越低、非线性系数β越大;颗粒越细,电阻率ρ0越高、非线性系数β越小;不同种类,不同工厂生产的碳化硅的电阻率ρ0和非线性系数β是不同的;α-SiC制成防晕带后电阻率升高,β值下降,颗粒越粗,β值下降越大;防晕带与粉料的非线性性质有相似的规律,而β-SiC具有比α-SiC低得多的电阻率和较大的非线性系数,并且其电阻率和非线性系数受到粉料的粒径、合成温度和涂层有机物含量等因素的直接影响。
2.
The resistivity and the non-linear coefficient of SiC can be modified by changing the silica(SiO 2 )content on SiC powder surface.
碳化硅 (SiC)的体积电阻率 ρv 和非线性系数 β 与SiC粉料表面二氧化硅 (SiO2)的含量有直接关系。
3.
89×10 7 Ω·m,non-linear coefficient ofα-SiC anti_corona system increase to1.
为开发优良的防电晕材料,利用电阻率较小、非线性系数较大的β-碳化硅(β-SiC)加入α-碳化硅(α-SiC)防晕体系,结果表明随加入量的增加,电阻率降低,从不掺杂β-SiC时的7。
3) nonlinear exponent
非线性系数
1.
By measuring the properties of I-V,nonlinear exponent and apparent dielectric constant,effects of burying sintering process were investigated comparing with those of traditional sintering process on electrical properties of TiO_2 multifunction ceramics.
通过I-V特性、非线性系数、介电常数的测量,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的电性能的影响。
2.
It is found that the breakdown voltage, nonlinear exponent and apparent dielectric constant of the samples showed definite regularity respectively when the Ta_2O_5content altered.
结果表明,随着Ta2O5的摩尔分数的增加,样品的压敏电压、非线性系数和视在介电常数呈现一定的变化规律,掺入摩尔分数为0。
3.
It was measured with breakdown voltage, nonlinear exponent, complex impedance, I-V, barrier height, dielectric constant and dissipation.
通过压敏电压、非线性系数、复阻抗特性、伏安特性、势垒高度、介电频率特性和损耗频率特性的测定,研究了一次烧成、粉料预烧及预烧方式对TiO2基压敏陶瓷电性能的不同影响。
4) nonlinearity coefficient
非线性系数
1.
Based on the all-vector model,we research the effect of different structure parameters on the nonlinearity coefficient of photonic crystal fiber(PCF) with hexagonal shape.
本文根据全矢量模型对六角形光子晶体光纤(PCF)的各种结构参数对基模非线性系数的影响进行数值研究,数值研究发现,增大空气孔的直径d或者减小空气孔的间距Λ都会使非线性系数增大,这将对设计不同要求的非线性微结构光纤提供有效的理论依据。
2.
The nonlinearity coefficient of microstructured optical fibers(MOFs) is a quantity of great importance in devices based on the nonlinearity of the fibers.
在基于微结构光纤(MOFs)的非线性装置中,光纤的非线性系数是一个很重要的参数,它受包层空气孔不均匀性的影响。
3.
Based on the all-vector model,the effect of different structure parameters on the nonlinearity coefficient of photonic crystal fiber (PCF) with hexagonal shape is researched in this paper.
本文根据全矢量模型首先对背景材料取为silica材料的六角形光子晶体光纤(PCF)结构,在不同空气孔直径下对基模非线性系数的影响进行数值研究,在此基础上,进一步将光子晶体背景材料折射率取为-1。
5) non-linearity coefficient
非线性系数
1.
The cluster of non-linearity coefficient ε curves of scanning circuit;
扫描电路的非线性系数ε曲线簇
6) nonlinear elastic coefficient
非线性弹性系数
1.
Stability of relativistic rotational nonlinear dynamic equation and solution for a kind of nonlinear elastic coefficients;
相对转动非线性动力学方程的稳定性及在一类非线性弹性系数下的解
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条