非线性衰减系数,non-linear attenuation coefficient,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) non-linear attenuation coefficient 点击朗读

非线性衰减系数

2) inelastic attenuation coefficient 点击朗读

非弹性衰减系数

5 earthquakes from Fujian digital seismic station network since 1998, the inelastic attenuation coefficient, geometric diffusion coefficient, site response and seismic source parameters of seismic waves of Fujian area are calculated based on the algorithms proposed by Atkinson et al.

5级以上地震的波形资料,采用Atkinson等提出的方法计算了福建地区地震波非弹性衰减系数、几何扩散系数和台站场地响应。

3) Linear attenuation coefficient 点击朗读

线性衰减系数

The image reconstruction problem of linear attenuation coefficients is very difficult and central in transmission TGS.

在TGS透射测量中,线性衰减系数值的图像重建问题是TGS的难点和核心问题。

4) Nonlinear attenuation 点击朗读

非线性衰减

例句>>

5) degradation coefficient of secant elastic modulus 点击朗读

割线弹性模量衰减系数

Sthis defined as the largest value of cyclic stress ratios corresponding to the flat δ～N curve δ is degradation coefficient of secant elastic modulus and N is cyclic number).

循环荷载下,砂土与EPS颗粒混合的轻质土(LSES)存在临界循环应力比Sth,将割线弹性模量衰减系数δ与循环次数的关系曲线能保持平缓的最大循环应力比定义为Sth,它是结构稳定与破坏两种状态的界限指标,根据动三轴试验结果,认为影响Sth的主要因素有围压、水泥掺量和EPS颗粒含量。

6) second order nonlinear decay 点击朗读

二阶非线性衰减

The coronapoling process and the properties of second order nonlinear decay of DANS polymer film waveguides were studied.

对键合型ＤＡＮＳ聚合物薄膜光波导的电晕极化过程及其二阶非线性衰减特性进行了研究。

补充资料：半导体非线性光学材料

半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。

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参考词条

非衰减函数非弹性衰减

X-射线衰减系数总线衰减系数非衰减性衰减系数线性衰减

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	您的位置：首页 -> 词典 -> 非线性衰减系数 1) non-linear attenuation coefficient 非线性衰减系数 2) inelastic attenuation coefficient 非弹性衰减系数 1. 5 earthquakes from Fujian digital seismic station network since 1998, the inelastic attenuation coefficient, geometric diffusion coefficient, site response and seismic source parameters of seismic waves of Fujian area are calculated based on the algorithms proposed by Atkinson et al. 5级以上地震的波形资料,采用Atkinson等提出的方法计算了福建地区地震波非弹性衰减系数、几何扩散系数和台站场地响应。 3) Linear attenuation coefficient 线性衰减系数 1. The image reconstruction problem of linear attenuation coefficients is very difficult and central in transmission TGS. 在TGS透射测量中,线性衰减系数值的图像重建问题是TGS的难点和核心问题。 4) Nonlinear attenuation 非线性衰减例句>> 5) degradation coefficient of secant elastic modulus 割线弹性模量衰减系数 1. Sthis defined as the largest value of cyclic stress ratios corresponding to the flat δ～N curve δ is degradation coefficient of secant elastic modulus and N is cyclic number). 循环荷载下,砂土与EPS颗粒混合的轻质土(LSES)存在临界循环应力比Sth,将割线弹性模量衰减系数δ与循环次数的关系曲线能保持平缓的最大循环应力比定义为Sth,它是结构稳定与破坏两种状态的界限指标,根据动三轴试验结果,认为影响Sth的主要因素有围压、水泥掺量和EPS颗粒含量。 6) second order nonlinear decay 二阶非线性衰减 1. The coronapoling process and the properties of second order nonlinear decay of DANS polymer film waveguides were studied. 对键合型ＤＡＮＳ聚合物薄膜光波导的电晕极化过程及其二阶非线性衰减特性进行了研究。补充资料：半导体非线性光学材料半导体非线性光学材料 semiconductor nonlinear optical materials 载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条非衰减函数非弹性衰减

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