1) phonon scattering
声子散射
1.
Effect of phonon frequency on phonon scattering in isotope-doped Si;
声子频率对同位素掺杂硅声子散射的影响
2.
This paper focuses on the phonon frequency effect and the isotope-doped concentrates effect on the phonon scattering in isotope-doped Si.
掺杂点缺陷对声子的散射是影响电绝缘体热导率的重要机制之一,其中声子频率和掺杂点缺陷浓度是影响声子散射的重要因素。
3.
Phonons play a great role in the microcosmic mechanism of heat transfer of silicon,the process of phonon scattering in doped silicon is studied by molecular dynamics simulation with high performance computers in this paper, then the composition of energy is analyzed after scattering,in which the greater transmitted energy means the high thermal conductivity qualitatively.
声子导热是硅晶体中的主要导热微观机制,本文借助高性能计算机,利用分子动力学方法研究了掺杂点缺陷对硅中声子散射的过程,定量分析声子散射后的能量组成,透射能量多即定性理解为导热性好。
2) electron-phonon scattering
电声子散射
3) multi-phonon scattering
多声子散射
4) acoustic phonon scattering
声学声子散射
1.
The role of acoustic phonon scattering in charge transport in organic semiconductors:a first-principles deformation-potential study
第一性原理的形变势理论研究声学声子散射对电荷传输的影响
5) electron-electron scattering
电子-声子散射
1.
T2 is electron-electron scattering term,T3/2 is the term electron scattered by the disordered spin glasses,T5 is electron-phonon scattering term,T9/2 is electron-two magnon scattering term.
(1-x)LCMO/(x)YSZ的R-T曲线低温拟合系数的分析结果表明,在低温下电阻率行为式ρ=0ρ+ATa+BTb中,b=5是合理的,T5代表电子-声子散射项。
6) carrier-phonon scattering
载流子声子散射
补充资料：弹性散射和非弹性散射
| 弹性散射和非弹性散射 elastic scattering and inelastic scattering 使用粒子间碰撞来研究粒子的性质、相互作用和内部结构的两种情况。如果碰撞过程中两粒子间只有动能的交换，粒子类型、其内部运动状态和数目并无变化，则称为弹性散射或弹性碰撞。如果碰撞过程中除了有动能交换外，粒子的数目、类型和内部状态有所改变或转化为其他粒子，则称为非弹性散射或非弹性碰撞。 散射过程的研究对于了解许多物理现象具有很重要的意义。例如E.卢瑟福对a粒子被物质散射的研究，提出原子的有核模型；J.弗兰克和G.L.赫兹的电子与原子碰撞实验证实了N.玻尔的定态假设；建造高能加速器就是利用被加速粒子的散射过程来研究粒子的性质、相互作用和相互转化的规律。60年代末到70年代初利用高能轻子对质子和中子的深度非弹性散射的实验，发现质子和中子内部存在点状结构。 |
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参考词条