1) n-Si(111) crystalline
n型单晶硅
1.
At the same time, n-Si(111) crystalline was modified by this complex and many island-like particles were formed on the silicon wafer.
利用Si—H与不饱和键的加成性质将该配合物嫁接到氢化n型单晶硅(111)表面,发现配合物Pt4(OCOCH3)4(OCOCHCH2)4除了能嫁接到单晶硅表面外,还能在n型单晶硅表面进行自组装而形成许多岛状纳米粒子,这种组装体系具有良好的热稳定性和一定的抗酸性。
2) p-Silicon (100)
p型单晶硅(100)
3) P-type high-resistance silicon single-crystal
P型高阻硅单晶
4) p-type silicon wafer
P型单晶硅片
5) seed of single crystal silicon
单晶硅籽晶
6) single-crystal silicon
单晶硅
1.
The micro-tribological and nano-mechanic properties of Ar~+ implanted single-crystal silicon were investigated by using a Micro-tribology Text and a Nano Indenter System, The results show that Ar~+ implantation of single-crystal silicon had increased the wear-resistance, the best dose is 1×10~(16) ions /cm~2.
利用离子注入技术对单晶硅表面进行了氩离子注入,用微摩擦磨损实验机研究了改性层的摩擦磨损行为,并用透射电子显微镜研究了改性层的微观结构。
2.
In Chemical-Mechanical polishing experiments we produced optical quality super smooth surfaces on single-crystal silicon, but cannot insure the surface figure.
使用机械 -化学抛光法加工大尺寸单晶硅可获超光滑表面 ,但很难保证良好的面型。
3.
The nano-scratch behaviors of Ar+ implanted single-crystal silicon were investigated by a nano indenter system, the micro-structure of the implanted layer was analyzed with TEM.
通过离子注入技术对单晶硅表面进行氩离子注入处理,利用纳米压痕仪及其附件研究了单晶硅表面在离子注入前,后的微观力学性能和变形机理,并用透射电子显微镜研究了改性层的微观结构。
补充资料：单晶硅
单质硅的一种形态。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅(见彩图)。
单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加；有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加；有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条