1) oxydic layer of grain boundary
晶界氧化层
2) grain boundary reoxidation
晶界再氧化
3) redox boundary
氧化还原边界层
1.
Through the distribution characteristics of Fe, Mn and S, it is found their cycle is doubly controlled by redox boundary layer and sedimentwater interface, and FeMn forms redox cycle surrouding sedimentwater interface with the force of organic matters degradation.
对阳宗海沉积物中铁、锰、硫的分布特征进行了分析,说明阳宗海沉积物早期成岩过程中铁、锰的循环受到氧化还原边界层和沉积物-水界面的双重控制。
4) model of interfacial oxide
界面氧化层模型
5) intergranular layer
晶界层
1.
The intergranular layer contributes a low voltage peak.
在Ｍａｈａｎ的理论中计入电流流过陶瓷的晶界时所引起的压降并加以改进，可以说明三种典型晶界层陶瓷的时域介电谱中的慢极化响应。
6) grain boundary layer
晶界层
1.
At the same time, the influences of grain boundary layer on multifunction effect are also discussed.
采用一次烧成法制备了Ｔａ５＋掺杂的ＳｒＴｉＯ３系复合功能陶瓷，测试了样品的介电性能，分析了晶粒的半导化机理，并讨论了晶界层对样品复合功能效应的影响。
补充资料：晶界层电容器
分子式：
CAS号：
性质：由半导化晶粒和晶界绝缘层所形成的一类陶瓷电容器。其晶粒为n型半导体，电阻率约为102～105Ω·cm或更低，晶粒发育较好，尺寸约20～100μm或更大，晶粒与晶粒之间为极薄的绝缘层，厚度仅为十分之几微米到数微米。制品具有介电常数很高，约数万到数十万，介质损耗较低，温度系数较小，在低电压和低阻抗晶体管等线路中显示出非常优良的性能。主要有钛酸钡系和钛酸锶系两类。工艺特点为施主掺杂半导化，空气中一次烧成或施主掺杂高温中性(氮气)或通氢还原烧成后，再经涂覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层，即二次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子计算机、汽车和电子电路中。
CAS号：
性质：由半导化晶粒和晶界绝缘层所形成的一类陶瓷电容器。其晶粒为n型半导体，电阻率约为102～105Ω·cm或更低，晶粒发育较好，尺寸约20～100μm或更大，晶粒与晶粒之间为极薄的绝缘层，厚度仅为十分之几微米到数微米。制品具有介电常数很高，约数万到数十万，介质损耗较低，温度系数较小，在低电压和低阻抗晶体管等线路中显示出非常优良的性能。主要有钛酸钡系和钛酸锶系两类。工艺特点为施主掺杂半导化，空气中一次烧成或施主掺杂高温中性(氮气)或通氢还原烧成后，再经涂覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层，即二次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子计算机、汽车和电子电路中。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条