1) TiO2 film
TiO2膜
1.
Stability of TiO2 film fixed on fiber glass net after long term use was investigated by using photocatalytic degradation of phenol as probe reaction.
针对实际水处理中对催化剂性能的要求,以光催化降解苯酚溶液作为探针反应,考察了玻璃纤维网上负载的TiO2膜催化剂长期使用条件下的稳定性,研究了催化剂在自来水中使用失活后的再生方法。
2.
Sol-gel method was used to prepare TiO2 film on fiberglass net.
用溶胶凝胶法在玻璃纤维网上制备TiO2膜,采用热重仪/差式扫描量热仪(TG/DSC)、负载量测定、X射线仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等手段,较为系统地描述了不同热处理温度条件下膜的形貌特点和结构特征;以光催化降解水中苯酚作为探针反应,考察了热处理温度对催化剂降解活性的影响。
3.
This paper discusses diffusion action of Ni in the NiTi alloy,establish the diffusion mathematic model of Ni s constant concentration in the half noneborder space,rationly derive the mathmatic formula of Ni crossing the TiO2 film.
对TiO2/NiTi合金中Ni的扩散行为进行了探讨,建立了半无界空间的Ni原子恒定浓度扩散数学模型,定量的推导出了Ni通过TiO2膜的数学表达式。
2) TiO_2 film
TiO2膜
1.
The acetyl cellulose TiO_2 film and polypropylene TiO_2 film showed better for glucoamylase absorption, and this immobilized glucoamylase also had higher stability.
分别以醋酸纤维素TiO2膜(AC。
2.
The TiO_2 film was prepared by using sol-gel method with Ti(OC_4H_9)_4 as a precursor, and characterized by means of XRD, Raman, SEM and UV-Vis.
苯的降解反应表明TiO2膜的厚度对催化剂活性有显著影响,薄膜的最佳厚度为480nm,在180min时苯降解率达91。
3) TiO_2 films
TiO2膜
1.
TiO_2 films are grown on titanium substrate by micro-plasma oxidation method,which is simple and the films is good adherence with the substrate.
用微等离子体氧化法能在钛基体上原位生长多孔TiO2膜,方法简单而且膜层与基体结合牢固。
2.
The effect of current densities(3、5、10、15 A/dm~2)on the photo-catalytic activity of the films is studied in order to improve photo-catalytic activities of TiO_2 films grown on titanium substrate.
为提高钛表面原位生长TiO2膜层的光催化活性,研究了电流密度(3、5、10、15 A/dm2)对所得膜层光催化活性的影响。
4) TiO 2 film
TiO2膜
5) TiO_2 thin films
TiO2薄膜
1.
The developing methods of preparing TiO_2 thin films were reviewed.
论述了纳米TiO2薄膜制备技术的最新研究进展。
2.
Transparent TiO_2 thin films were obtained on glass by a liquid phase deposition method(LPD).
采用液相沉积法(LPD)在玻璃的表面制得透明的TiO2薄膜,以XRD和SEM等方法对薄膜的物相、结构、形貌和光催化性能进行表征。
3.
TiO_2 thin films were prepared on glass substrates by RF magnetron sputtering.
利用射频磁控溅射设备在玻璃基片上制备TiO2薄膜,采用AFM、UV-Vis分光光度、接触角测定仪等测试手段,研究基片温度对薄膜表面形貌、粗糙度和表面性能的影响。
6) Ag-TiO2 film
Ag-TiO2膜
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条