1) anisotropic magnetoresistive heads
各向异性磁致电阻磁头
1.
The LTO2 format heads are used for data storage in server, they are anisotropic magnetoresistive heads.
LTO2制式磁头是一种用于服务器的磁带机上的数据记录磁头,为各向异性磁致电阻磁头(AMR),通过对磁头的关键参数进行设计,如磁致电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度,以及它们与屏蔽层的距离,并优化这些参数的组合,获得了良好的性能,磁头的读写错误率(ErrorRate)、ViterbiDistanc(eVD)等关键测试参数均能满足要求。
2) anisotropic magnetoresistance
各向异性磁致电阻
1.
Influence of buffer layers on the anisotropic magnetoresistance of NiCo films;
缓冲层对NiCo薄膜各向异性磁致电阻的影响
3) AMR
各向异性磁电阻
1.
Study on AMR Properties of Ni_(65)Co_(35) Thin Films;
Ni_(65)Co_(35)薄膜各向异性磁电阻性能的研究
2.
A “mixed” effect of the free and pinned layers on anisotropic magnetoresistance (AMR) has been obtserved.
结果表明 ,在样品中存在着自由层和被钉扎层之间的各向异性磁电阻的“混合”效应 。
3.
The zero field resistivity (ρ), anisotropy magnetoresistance (AMR) and microstructures for both as-grown and post-annealed films are measured.
5nm)/Ni82Fe18(tnm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜,并进行了中温退火(200°C),测量了退火前后样品的零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构;从实验角度研究了中温退火对ρ和AMR随NiFe厚度(t)变化的影响,并探讨了该影响的微观机制。
4) Anisotropic magnetoresistance
各向异性磁电阻
1.
Effects of sputtering conditions on the anisotropic magnetoresistance of Ni_(80)Fe_(20) thin films;
溅射条件对Ni_(80)Fe_(20)薄膜各向异性磁电阻的影响
2.
Effects of seed layers on the anisotropic magnetoresistance of NiCo films;
种子层对NiCo薄膜各向异性磁电阻效应的影响
3.
Studies of the process technology and microstructure of Ni_(81)Fe_(19) anisotropic magnetoresistance films;
Ni_(81)Fe_(19)各向异性磁电阻薄膜的工艺和微结构的研究
5) anisotropic magnetoresistance(AMR) effects
各向异性磁电阻(AMR)效应
6) anisotropic magnetoresistance effect
各向异性磁电阻效应
补充资料：磁致电阻
磁致电阻
Magnetoresistance
磁致电阻(magnetoresistanee 磁致电阻是对载流的导体或半导体加上磁场H时所产生的电阻变化。磁致电阻是磁场电效应的一种。它在磁场H平行于和垂直于电流时都可观察到。电阻的变化通常与H“成正比，但是在非常大的磁场中，它变成与H成正比。参阅“磁场电效应”(galvanomagnetie effeets)条。 在大多数金属中，电阻的变化是正的;然而，在贵金属和过渡金属的合金以及在饱和以上的铁磁体中，电阻的变化一般是负的。 在半导体中，磁致电阻非常大(特别在锑化姻中)，并且相对于单晶体中电流的方向具有大的各向异性。后一性质对于确定带结构很有价值。对磁致电阻的测量还可提供有关载流子迁移率的知识。 仁亚伯拉罕斯(E.Abrahams)、凯弗(F·Keffer)撰]
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参考词条