1) anisotropic magnetoresistance(AMR)
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各向异性磁电阻(AMR)
1.
An Al2O3 layer with a proper thickness can enhance the anisotropic magnetoresistance(AMR) value without damaging the magnetic properties of permalloy films.
各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中。
2) anisotropic magnetoresistance(AMR) effects
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各向异性磁电阻(AMR)效应
3) aeolotropism resistivity AMR
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各向异性电阻率AMR
4) AMR
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各向异性磁电阻
1.
Study on AMR Properties of Ni_(65)Co_(35) Thin Films;
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Ni_(65)Co_(35)薄膜各向异性磁电阻性能的研究
2.
A “mixed” effect of the free and pinned layers on anisotropic magnetoresistance (AMR) has been obtserved.
结果表明 ,在样品中存在着自由层和被钉扎层之间的各向异性磁电阻的“混合”效应 。
3.
The zero field resistivity (ρ), anisotropy magnetoresistance (AMR) and microstructures for both as-grown and post-annealed films are measured.
5nm)/Ni82Fe18(tnm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜,并进行了中温退火(200°C),测量了退火前后样品的零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构;从实验角度研究了中温退火对ρ和AMR随NiFe厚度(t)变化的影响,并探讨了该影响的微观机制。
5) Anisotropic magnetoresistance
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各向异性磁电阻
1.
Effects of sputtering conditions on the anisotropic magnetoresistance of Ni_(80)Fe_(20) thin films;
溅射条件对Ni_(80)Fe_(20)薄膜各向异性磁电阻的影响
2.
Effects of seed layers on the anisotropic magnetoresistance of NiCo films;
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种子层对NiCo薄膜各向异性磁电阻效应的影响
3.
Studies of the process technology and microstructure of Ni_(81)Fe_(19) anisotropic magnetoresistance films;
Ni_(81)Fe_(19)各向异性磁电阻薄膜的工艺和微结构的研究
6) anisotropic magnetoresistive heads
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各向异性磁致电阻磁头
1.
The LTO2 format heads are used for data storage in server, they are anisotropic magnetoresistive heads.
LTO2制式磁头是一种用于服务器的磁带机上的数据记录磁头,为各向异性磁致电阻磁头(AMR),通过对磁头的关键参数进行设计,如磁致电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度,以及它们与屏蔽层的距离,并优化这些参数的组合,获得了良好的性能,磁头的读写错误率(ErrorRate)、ViterbiDistanc(eVD)等关键测试参数均能满足要求。
补充资料:各向异性
分子式:
CAS号:
性质:晶体内部微粒具有规则的晶格结构,故其物理性质随方向而不同,表现出各向异性的特点。如石墨层平行方向上电导率比垂直方向大一万倍,故不同方向导电性不同。
CAS号:
性质:晶体内部微粒具有规则的晶格结构,故其物理性质随方向而不同,表现出各向异性的特点。如石墨层平行方向上电导率比垂直方向大一万倍,故不同方向导电性不同。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条