2) post-selenization
后硒化
1.
The property of CIS films prepared by PLD sputtering and post-selenization had been characterized by X-ray Diffraction(XRD)、Scanning Electron Microscope(SEM)、X-ray Photo Electron Spectroscopy(XPS) and X-ray Fluorescence Spectrometer(XRF),the results show that CIS thin films of single phase and chalcopyrite structure can be obtained by this method.
通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜分析(SEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)和X射线荧光分析(XRF),对PLD溅射后硒化法制备出的铜铟硒(CIS)太阳能薄膜进行了表征;结果表明此工艺方法可以制备出单相性较好的黄铜矿结构的CIS薄膜。
3) sputtered oxide
溅射氧化物
4) electrochemical supttering
电化学溅射
5) titanium nitride/magnetron sputtering
氮化钛/磁控溅射
6) sputtered-oxide film
溅射氧化物膜
补充资料：硒化
分子式：
CAS号：
性质：在有机化合物引入硒生成有机硒化合物的反应。许多有机硒化合物是重要的试剂，在有机合成中有实用价值。
CAS号：
性质：在有机化合物引入硒生成有机硒化合物的反应。许多有机硒化合物是重要的试剂，在有机合成中有实用价值。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条