1) traps in AlGaN barrier
势垒层陷阱
1.
By analyzing the shift of primary parameters,we found that the hot carriers generated by impact ionization and trapped by traps in AlGaN barrier layer,and the emission of electrons from gate electrode filling in surface states at high gate-to-drian electric fileds,were the primary reasons causing device degradation after different stress.
对不同应力前后器件饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压的分析表明,AlGaN势垒层陷阱俘获沟道热电子以及栅极电子在栅漏间电场的作用下填充虚栅中的表面态是这些不同应力下器件退化的主要原因。
2) dispersion barriers(wells)
色散势垒(阱)
3) double-barrier and single well
双势垒单阱
4) the trap of potential fields
势场陷阱
5) fault interpretation pitfall
断层陷阱
6) barrier layer
势垒层
1.
This indicates the presence of the surface states on the surface of the barrier layer.
通过测量调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结样品的变频电容 电压 (C V)特性 ,对Al0 2 2 Ga0 78N势垒层表面态的性质进行了研究 。
2.
Efficient ZnS:Er alternating current thin film electroluminescent devices(ACTFELDs) have been fabricated based on the mechanism that the energy gain and excitation efficiency of charge carriers can be increased by means of barrier layer tunnelling along with the modification of the conventional structure.
对掺饵硫化锌交流电致发光薄膜器件 (ACTFELD) ,根据载流子隧穿势垒层会获得能量增益 ,提高激发效率的原理 ,通过改变常规ZnS :ErACTFELD的基本结构 ,研制出多阻挡层器件。
补充资料：势垒
势垒
Potential barrier
势垒(potential barrier) 包括了势能极大的一个区域.它阻挡粒子从其一边跑到另一边。按照经典物理学，为克服势垒.粒子必须具有超过势垒高度的能量。然而，量子力学表明.能量低于势垒高度的粒子也有一定概率穿透它。当粒子能量减少时.这一概率迅速减少这种势垒的例子有电子围绕原子的负场、排斥带止电粒子的原子核内的正电荷、由固定电荷分布产生的对固态装置中出现的电子或空穴的势垒。 在原子核情形下.如果轰击粒子带正电荷十z，内它将受到库仑静电排斥·这相当厂一个随1/r变化的势能，其中r是至核中心的距离，z，是轰击粒子的原子序数，而尸是质子电荷。到原子核边缘以前.这个势垒(高度)不断增加，之后被核引力克服。这个库仑势垒的最高点在原子核表面，表达式是22，·。，/R，其中R是原子核半径，Z是核电荷数。对于质子，氖的势垒大约是4兆电子伏.而铀的势垒是17兆电子伏。在固体情况下，在半导体和金属的内界面间或不同类参杂(受主或施主)半导体区域之间，势垒上升。固体中这种势垒的存在会引起金属半导体接触时整流效应和半导体的晶体放大效应。势垒高度以电子伏而不是兆电子伏来度量，典型的是原子散射·I参阅.‘原子核结构”(nuclear“ructure)、一半导体”(semieonduetor)条. 〔斯特拉顿(R.Stratton)撰〕
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参考词条