1) oxide trap
氧化层陷阱
1.
The position and energy level of the activated oxide trap are determined by measuring the dependence of capture time and emission time on gate bias voltage.
室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,通过测量 RTS的俘获时间和发射时间与栅压和温度的依赖关系 ,获得了氧化层陷阱的位置与能级 ,证实了氧化层陷阱的热激活模型在细沟道 n MOSFET中仍然成立。
2) oxide traps
氧化层陷阱
1.
Shift of the flat-band voltage,density of oxide traps and interface states are calculated.
结果表明NH4F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷,从而降低栅极漏电流。
4) oxide trapped charge
氧化物陷阱电荷
1.
Gamma-irradiation induced oxide trapped charge and interface charge in Power VDMOS;
Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷
5) fault interpretation pitfall
断层陷阱
补充资料：流动性偏好陷阱或凯恩斯陷阱（Keynes trap）
流动性偏好陷阱或凯恩斯陷阱（Keynes trap）：当利率极低，人们会认为这种利率不大可能再降，或者说有价证券市场价格不大可能上升而只会跌落时，人们不管有多少货币都愿意持在手中，这种情况被称为%26#8220;凯恩斯陷阱%26#8221;或%26#8220;流动偏好陷阱%26#8221;。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条