1) Si and Mn co-doped GaN
Si和Mn共掺GaN
1.
First principle study of Mg,Si and Mn co-doped GaN
第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN
2) O and Mn co-doping GaN
O和Mn共掺GaN
3) Ga_(1-x)Mn_xN
Mn掺杂GaN
1.
The results reveal a 100% spin polarized impurity band in band structure of Ga_(1-x)Mn_xN due to hybridization of Mn 3d and N 2p orbitals.
计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大。
4) Si doped GaN
Si掺杂GaN
5) Mn-doped Si
Mn掺杂Si
6) Si and GaN
Si和GaN
补充资料：SI
有机硅树脂简称SI，是由三乙氧基硅烷等缩合而成。溶于乙醇、丁醇、醋酸乙酯、丙酮、苯、甲苯、环己酮等。预聚体在低温下能快速固化，固化后的树脂硬度高、耐热、耐磨、耐辐射、耐水、防潮、耐大气老化，低温(-50℃)不脆化。透明度高，可见光透光率90％以上。无毒。
用作酚醛树脂和环氧树脂剂的改性剂，可提高耐热性和耐水性贮存于阴凉、通风、干燥的库房内。
用作酚醛树脂和环氧树脂剂的改性剂，可提高耐热性和耐水性贮存于阴凉、通风、干燥的库房内。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条