2) Si doped GaN
Si掺杂GaN
3) Ga_(1-x)Mn_xN
Mn掺杂GaN
1.
The results reveal a 100% spin polarized impurity band in band structure of Ga_(1-x)Mn_xN due to hybridization of Mn 3d and N 2p orbitals.
计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大。
5) Mg-doped
Mg掺杂
1.
Theoretical study of the Be_xZn_(1-x)O alloys and Mg-doped Be_xZn_(1-x)O alloys;
Be_xZn_(1-x)O合金和Mg掺杂Be_xZn_(1-x)O合金特性的理论研究
2.
Synthesis and Characterization of Mg-doped Hexagonal Close-packed Ni Nanoparticles;
Mg掺杂六角密排结构Ni纳米颗粒的合成与表征
3.
The electronic structures in pure and Mg-doped LiFePO4 were studied by density functional theory(DFT) based on general gradient approximation(GGA).
由广义梯度近似的密度泛函理论,计算了LiFePO4在Mg掺杂前后的电子结构。
6) Mg doping
Mg掺杂
1.
It is demonstrated that the quality of GaN films degenerates due to the heavy Mg doping.
对高浓度Mg掺杂GaN在常规热退火和快速热退火前后的材料质量和电学特性进行了研究。
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条