1) Brevundimonas diminuta
缺陷短波单胞菌
1.
The results showed that 7 bacteria Brevundimonas diminuta,Chryseobacterium meningosepticum,Citrbacter freundii,Corynebacterium,Empedobacter brevis,Vibrio alginolyticus and Weeksella virosa were found in the ark shells,in which most were opportunistic pathogens and resistant to common antibiotics.
研究结果显示,魁蚶、毛蚶、泥蚶中共有7株菌,分别为缺陷短波单胞菌、脑膜炎败血黄杆菌、弗氏枸椽酸杆菌、棒状杆菌属、短稳黄杆菌、溶藻弧菌、有毒威克斯菌,其中多数是条件致病菌,并对常用抗生素有抗性。
2) Brevundimonas
短波单胞菌
1.
Through the fluorescent physiological and biochemical identification the bacteria is identified as a Brevundimonas and the probability can reach 99.
经菌种鉴定该菌为缺陷短波单胞菌。
3) Pseudomonas diminuta
缺陷假单胞菌
1.
Isolation,identification and degradation characteristics of a Pseudomonas diminuta strain able to degrade pyrethriod pesticides
降解拟除虫菊酯类农药的缺陷假单胞菌的分离、鉴定及降解特性研究
4) Brevendimonas vesicularis
泡囊短波单胞菌
5) Brevundimonas sp
短波单胞菌属
6) defect echo
缺陷回波
1.
There are many reasons for undetected defect such as unsuitable parameter selection of probe, the influence of interference wave and the unclear judgment of defect echo and burr echo.
电阻焊钢管焊缝超声波检测中缺陷漏检是导致钢管爆裂和焊缝失效的重要原因,造成缺陷漏检的原因有探头参数选择不合适、干扰波影响、缺陷回波和毛刺回波未分清等多种因素。
2.
The paper discusses the defect echo feature when applying different K value s probe detects different depth artificial reflectors in ultrasonic detection,and makes comparison among them,thus puts forward the significance of applying different K value probe on different detected parts,meanwhile it provides theoretical basis for practical detection work.
文章讨论了超声波检测中应用不同K值的探头,检测不同深度的人工反射体时所产生的缺陷回波的特点,并对它们进行了比较,由此提出了对被检测工件应用不同K值探头的意义,同时也为实际检测工作提供了理论根据。
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条