1) Defects wave
缺陷波
1.
The Identifaction of Defects wave and Non-defects wave in Forging’s Ultrasonic Testing
锻件超声波探伤中缺陷波和伪缺陷波的识别
2) defect echo
缺陷回波
1.
There are many reasons for undetected defect such as unsuitable parameter selection of probe, the influence of interference wave and the unclear judgment of defect echo and burr echo.
电阻焊钢管焊缝超声波检测中缺陷漏检是导致钢管爆裂和焊缝失效的重要原因,造成缺陷漏检的原因有探头参数选择不合适、干扰波影响、缺陷回波和毛刺回波未分清等多种因素。
2.
The paper discusses the defect echo feature when applying different K value s probe detects different depth artificial reflectors in ultrasonic detection,and makes comparison among them,thus puts forward the significance of applying different K value probe on different detected parts,meanwhile it provides theoretical basis for practical detection work.
文章讨论了超声波检测中应用不同K值的探头,检测不同深度的人工反射体时所产生的缺陷回波的特点,并对它们进行了比较,由此提出了对被检测工件应用不同K值探头的意义,同时也为实际检测工作提供了理论根据。
3) waveguide defect
波导缺陷
1.
In WMM,the data are recorded in the form of waveguide defects and are read out by using the light scatter effect of the waveguide defects.
一种新型的波导多层存储器(WMM)由多层平面光波导叠合构成,利用波导缺陷记录数据,通过缺陷的光散射效应读出数据,并利用波导对光的空间约束作用实现层选址。
4) corrugation defects
波纹缺陷
5) Non-defects wave
非缺陷波
6) raised grain defect
波浪纹缺陷
1.
The author conducts a complete and detailed theoretical analysis on the causes of raised grain defect during the fabrication of lattice mesh plate in the numerical control small punch spinning drying equipment in the article.
文章就数控小孔冲床加工纺织烘干设备中帘子网眼平板产生波浪纹缺陷的原因 ,进行了全面、详细的理论分析。
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条