1) Low-Skilled Traps
低技能陷阱
1.
Labor Shortage,Educated Unemployment and Low-Skilled Traps
民工荒、大学生失业与低技能陷阱
2) Trap of low level of technology
低技术陷阱
3) low-efficiency trap
低效陷阱
4) trap technique
陷阱技术
1.
We extend the Pickover and Carlson static trap technique,put forward circularity trap, dynamic trap technique and escape rendering method.
将Pickover,Carlson的静态陷阱技术进行推广,提出了圆陷阱、动态陷阱技术和轨道逃出着色法;同时,将Carlson采用静态陷阱由陷入法构造复多项式F( z)=z4+( c-1) z2-c 的伪3D牛顿变换的准M集的方法作了推广,利用静态和动态陷阱技术由陷入和逃出法构造并研究了复多项式F( z)=zα+( c-1) zβ-c(α,β∈R,且α>β≥2)伪3D牛顿变换的M J集研究表明(1)无论α和β取何正整数值,M集中都存在着由“坏点”组成的经典M集(2)M J集中存在具有伪3D效果且与对应陷阱单元形状相近的大小不同的彩色元素,并具有自相似特征(3)α和β为正小数时,相角θ主值范围的不同选取将导致M J集的不同演
2.
We extend Pickover,Carlson and Ye Ruisong s trap technique,come up with Barnsley fern as orbit trap and double-trap technique.
本文将P ickover、Carlson和叶瑞松的陷阱技术进行了改造,以Barnsley蕨类植物叶子(简称Barnsley蕨)作为陷阱,并提出了双陷阱技术。
5) trap level
陷阱能级
1.
The results indicate that Eu2+ ions act luminescent centers and Dy3+ ions as trap levels.
研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级。
6) Trap energy
陷阱能级
1.
By analysis of dark current mechanism and experiments,it is found that the n-InSb reverse layer induced by trap energy of anode polarization layer connects with p-InSb layer,which plays a role of shunt resistance,and leads to the electric performance of detectors badly.
通过对其漏电流分析和制作MIS器件进行试验,发现阳极化层中的陷阱能级感应n型InSb表面产生反型,p/n结表面附近的反型层与p型层连接后起到分流电阻作用,导致器件电性能变差。
补充资料：流动性偏好陷阱或凯恩斯陷阱（Keynes trap）
流动性偏好陷阱或凯恩斯陷阱（Keynes trap）：当利率极低，人们会认为这种利率不大可能再降，或者说有价证券市场价格不大可能上升而只会跌落时，人们不管有多少货币都愿意持在手中，这种情况被称为%26#8220;凯恩斯陷阱%26#8221;或%26#8220;流动偏好陷阱%26#8221;。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条