1) amorphous TeO2 film
非晶态TeO2薄膜
2) amorphous film
非晶态薄膜
1.
The effect of film composition, sputtering process parameters, substrate material and its temperature, film thickness and specification of heat treatment were discussed to realize the magnetic property control of sputtering amorphous films.
为了达到控制溅射非晶态薄膜磁性的目的,从溅射非晶态薄膜的组成成分、溅射工艺参数、基体材料及温度、膜层厚度和镀后热处理工艺等几方面论述了影响非晶态溅射薄膜磁性的因素,结果表明,薄膜组成、膜厚、基材、溅射工艺及镀后热处理对溅射非晶态薄膜的磁性有较大的影响,应根据不同磁性要求加以控制。
3) amorphous ZnO thin film
非晶态ZnO薄膜
1.
In this paper,amorphous ZnO thin film was prepared by sol-gel method on glass substrate in order to study optical properties.
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了非晶态ZnO薄膜。
4) amorphous As2S8 film
非晶态As2S8薄膜
5) amorphous As_(2)S_(8) film
非晶态As_2S_8薄膜
6) amorphous TiO2 film
非晶态TiO2薄膜
1.
The amorphous TiO2 film prepared by tetrahydrofuran modified reverse microemulsion method is composed of spherical particles with an uniform and average size of 20nm.
将所制备的非晶态TiO2薄膜应用于染料敏化太阳能(DSC)电池,并与P25纳米晶粉体制备的晶态TiO2薄膜及其DSC性能进行对比。
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条