1) amorphous As_2S_8 semiconductor films
非晶态As2S8半导体薄膜
1.
Research and application of photoinduced phenomena of amorphous As_2S_8 semiconductor films;
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在紫外汞灯和He_Cd激光照射下的光诱导现象,证实了光照射后的As2S8薄膜的折射率增大,体积缩小,可见光吸收谱的吸收带蓝移。
2) amorphous As2S8 film
非晶态As2S8薄膜
3) As2S8 chalcogenide semiconductor film
As2S8半导体薄膜
5) As2S8 film waveguide
As2S8薄膜波导
6) amorphous GeS2 film
GeS2非晶半导体薄膜
补充资料：非晶态半导体存储器
| 非晶态半导体存储器 amorphous semiconductor memory 利用外界条件如电、热、压力、光等，使非晶态薄膜的结构发生变化，用以记录和存储信息的器件。主要有电存储器和光存储器两大类，前者利用非晶态半导体在电学性质上存在的双稳态特性质，即利用不同的电脉冲信号使其保持高阻状态（关态）和低阻状态（开态）工作。后者利用光辐照使非晶态半导体中的光斑处发生结构变化（一般为非晶态与晶态之间的变化），以记录光信息。它具有光的双稳态性质。非晶态半导体存储器具有信息可长期保持而无功耗，抗高能粒子辐照等特点，可用作高密度，高信噪比的信息记录介质，例如光盘等。 |
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参考词条