1) ZnSe/GaAs photoelectrode
ZnSe/GaAs半导体电极
2) GaAs semiconductor
GaAs半导体
1.
Radiation hardness of a particle detector, double metal contact GaAs semiconductors has been investigated in 14 MeV neutron exposure.
研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在 1 4MeV中子辐照下的性能 。
3) ZnSebased semiconductor materials
ZnSe基半导体材料
4) semiconductor electrode
半导体电极
1.
The progress of recent studies on the modification of nanocrystalline network semiconductor electrode, the properties of nanocrystalline network semiconductor electrode/electrolyte interface and the kinetics of heterogeneous photoinduced charge separation in the electrode/electrolyte interface are summarized.
本文对 Graetzel型 PEC中纳米晶半导体电极的表面修饰 ,纳米晶网络半导体电极 /溶液界面及界面电荷转移动力学特性方面的研究进行了综述 ,介绍了 Graetzel型PEC的结构组成及工作原理并对今后研究工作的重点提出一些建议。
5) Semiconducting electrode
半导体电极
6) GaAs semiconductor detector
GaAs半导体探测器
补充资料：半导体电极
分子式：
CAS号：
性质：将半导体作为电极材料时，半导体及与它紧密接触的电解质构成半导体电极。它与金属电极材料的主要差别为：(1)有电子和空穴，都能导电，两者的浓度可以通过掺杂改变，但载流子的浓度比金属低好几个数量级，故表面将形成空间电荷层；(2)因表面缺陷、吸附、氧化物生成等原因形成“表面态”能级，影响电极性能；(3)合适的光照将产生光电流。这些特点形成了半导体电化学的学科分支。
CAS号：
性质：将半导体作为电极材料时，半导体及与它紧密接触的电解质构成半导体电极。它与金属电极材料的主要差别为：(1)有电子和空穴，都能导电，两者的浓度可以通过掺杂改变，但载流子的浓度比金属低好几个数量级，故表面将形成空间电荷层；(2)因表面缺陷、吸附、氧化物生成等原因形成“表面态”能级，影响电极性能；(3)合适的光照将产生光电流。这些特点形成了半导体电化学的学科分支。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条