高介电栅介质材料,High-κ gate dielectric,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) High-κ gate dielectric 点击朗读

高介电栅介质材料

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2) gate dielectric materials 点击朗读

栅极电介质材料

3) high-κ gate dielectrics 点击朗读

高介电栅介质

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4) dielectric material 点击朗读

电介质材料

But the building industrialization plasma source of DBD has a weak foundation in theory, a low dielectric material properties, the system difficult to match, a.

但目前工业化DBD等离子体源构建中存在理论基础薄弱、电介质材料性能低下、系统难以匹配、效率不高等诸多问题。

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5) dielectric materials 点击朗读

电介质材料

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6) dielectric [英][,daii'lektrik] [美][,daɪɪ'lɛktrɪk] 点击朗读

电介质材料

After scaling down to nanosized range,the usual used SiO2 for the gate dielectric of MOS transistor can not be suitable for the further scaling down of nanotransistors,the high k gate dielectric should be used.

Si MOS晶体管进入nm尺度后,原来通用的栅极介电材料SiO2已不能适应纳米晶体管继续小型化的需要,必须用高k栅极电介质材料取而代之。

The Dielectric Effect in Scaled DBD and Optical Emission Spectroscopy Diagnosis of DBD; 点击朗读

阻碍规模化DBD等离子体源发展的主要问题有：理论基础薄弱、电介质材料性能低、系统难以匹配、效率低下等。

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补充资料：液体电介质电击穿

液体电介质电击穿
breakdown in dielectric liquids

　　丫e们d{0川旧7日妇ch日on液体电介质击穿(b reakdownindielectricliquids)在电场作用下，液体电介质由绝缘状态突变为良导电状态的过程。液体电介质击穿过程的试验研究还不很充分，全面描述液体电介质击穿的理论尚未形成。对于纯净的液体电介质，存在两种用来解释击穿过程的理论—电击穿理论(见液体电介质电击穿)和气泡击穿理论(见液休电介质气泡击穿)。对于或多或少含有水分、纤维等杂质的工程用液体电介质的击穿过程，可用小桥击穿理论(见液体电介质小桥击穿)解释二
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

电介质材料性能磁电介质材料高损耗介电材料

高介电材料高介电常数栅介质高损耗介质材料介质材料高介材料

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	您的位置：首页 -> 词典 -> 高介电栅介质材料 1) High-κ gate dielectric 高介电栅介质材料例句>> 2) gate dielectric materials 栅极电介质材料 3) high-κ gate dielectrics 高介电栅介质例句>> 4) dielectric material 电介质材料 1. But the building industrialization plasma source of DBD has a weak foundation in theory, a low dielectric material properties, the system difficult to match, a. 但目前工业化DBD等离子体源构建中存在理论基础薄弱、电介质材料性能低下、系统难以匹配、效率不高等诸多问题。更多例句>> 5) dielectric materials 电介质材料例句>> 6) dielectric [英][,daii'lektrik] [美][,daɪɪ'lɛktrɪk] 电介质材料 1. After scaling down to nanosized range,the usual used SiO2 for the gate dielectric of MOS transistor can not be suitable for the further scaling down of nanotransistors,the high k gate dielectric should be used. Si MOS晶体管进入nm尺度后,原来通用的栅极介电材料SiO2已不能适应纳米晶体管继续小型化的需要,必须用高k栅极电介质材料取而代之。 2. The Dielectric Effect in Scaled DBD and Optical Emission Spectroscopy Diagnosis of DBD; 阻碍规模化DBD等离子体源发展的主要问题有：理论基础薄弱、电介质材料性能低、系统难以匹配、效率低下等。更多例句>> 补充资料：液体电介质电击穿液体电介质电击穿 breakdown in dielectric liquids 　　丫e们d{0川旧7日妇ch日on液体电介质击穿(b reakdownindielectricliquids)在电场作用下，液体电介质由绝缘状态突变为良导电状态的过程。液体电介质击穿过程的试验研究还不很充分，全面描述液体电介质击穿的理论尚未形成。对于纯净的液体电介质，存在两种用来解释击穿过程的理论—电击穿理论(见液体电介质电击穿)和气泡击穿理论(见液休电介质气泡击穿)。对于或多或少含有水分、纤维等杂质的工程用液体电介质的击穿过程，可用小桥击穿理论(见液体电介质小桥击穿)解释二　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条电介质材料性能磁电介质材料高损耗介电材料

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