1) dielectric material
介质材料
1.
Ceramic dielectric material and structure were discussed.
主要讨论了陶瓷介质材料和结构,并指出了中高压陶瓷电容器制造工艺需要注意的问题。
2.
If the dielectric material s FTC is properly selected and the trimming outfit is well designed,FTC of dielectric loaded cavity filter is able to meet the requirements of the next generation mobile communication systems,such as IFTS, MMDS and the others which have the relative narrow pa.
通过采用移动通信基站双工器频率温度系数(FTC)的测量方法和得到的实验数据,来设计介质加载谐振腔滤波器,包括介质材料的选择和微调机构的设计。
2) medium material
介质材料
1.
In this paper,the method about the measuring of radio frequency and microwave s complex permittivity and complex magnetic permeability for medium material was described.
利用同轴探头方法测量介质材料的射频复介电常数和复磁导率。
2.
Because of that knowing the dielectric materials’microwave characteristics is the most important factor in applications, it is very significant to measure the electromagnetic parameters of medium materials.
微波介质材料已经广泛的应用于信息、通信领域,而在这些应用中都必须准确的知道介质材料的微波特性,因此对介质材料电磁参数进行测量具有重要的意义。
4) dielectric
[英][,daii'lektrik] [美][,daɪɪ'lɛktrɪk]
介质材料
1.
How to evaluate the life of dielectrics on the earth surface and even how to prolong its reliability and life are important problems for correlative investigator.
由于轨道空间环境与地球表面环境存在巨大差异,应用在航天环境的介质材料老化机理与一般地表环境介质材料的老化机理完全不同。
2.
Numerical Study of Sheath Characteristics with Dielectric Target in Plasma Source Ion Implantation;
由于特有的优势(例如成本低、操作简单、高效率、可以处理复杂形状的样品等),其应用范围已扩展到绝缘介质材料。
5) dielectric materials
介质材料
1.
Dielectric Materials Electrical Noise Measure Technology and Application;
介质材料电噪声测试技术及其应用研究
2.
It reveals that atomic layer deposition(ALD)is one of best method for making HfO2 dielectric materials.
氧化铪(HfO2)介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。
6) dielectric material
电介质材料
1.
But the building industrialization plasma source of DBD has a weak foundation in theory, a low dielectric material properties, the system difficult to match, a.
但目前工业化DBD等离子体源构建中存在理论基础薄弱、电介质材料性能低下、系统难以匹配、效率不高等诸多问题。
补充资料：二氧化硅薄膜介质材料
分子式：SiO2
CAS号：
性质：一种高纯氧化膜。具有介电性能稳定、耐潮性好、电容温度系数小和介质损耗角正切值小等优点。介电常数3.67～5.90，tgδ<2×10-4，击穿电压大于50V。采用电子束蒸发法、射频溅射法、热氧化法等制取，主要用于制作半导体混合集成电路和薄膜集成电路的MOS电容器和隔离绝缘层等。
CAS号：
性质：一种高纯氧化膜。具有介电性能稳定、耐潮性好、电容温度系数小和介质损耗角正切值小等优点。介电常数3.67～5.90，tgδ<2×10-4，击穿电压大于50V。采用电子束蒸发法、射频溅射法、热氧化法等制取，主要用于制作半导体混合集成电路和薄膜集成电路的MOS电容器和隔离绝缘层等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条