1) Open-loop Hall Effect
开环霍尔效应
2) Hall-effect switch
霍尔效应开关
3) Hall effect
霍尔效应
1.
Studies of the Hall effects at different temperatures on CdSe single crystals;
硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究
2.
Measure the uniformity of Helmholtz coil space magnetic field with Hall effect method;
霍尔效应法测量亥姆霍兹线圈空间磁场均匀区
4) hall effect switch testing circuit
霍尔效应开关测试回路
5) giant Hall effect
巨霍尔效应
1.
The background of the giant Hall effect in metal-insulator granular thin films,as well as the prepa- ration and measurement of the samples are introduced in this paper.
介绍了金属-绝缘体颗粒膜巨霍尔效应的研究背景及样品的制备与测量,总结了近年来该领域的研究进展和应用前景,最后对研发应用中存在的问题和趋势提出了自己的看法。
2.
The giant Hall effect (GHE) of these samples was investigated.
采用磁控溅射法 ,在玻璃基片上制备了一系列不同Ni79Fe2 1含量的 (Ni79Fe2 1) x (Al2 O3 ) 1-x纳米颗粒膜样品 ,并对样品的巨霍尔效应进行了研究。
6) giant hall effect (GHE)
巨霍尔效应
1.
Novel properties such as giant magnetoresistance (GMR), giant Hall effect (GHE) and huge coercivity have made ferromagnetic nanogranular films promising candidates for the applications of magnetic sensors, high density magnetic recording materials, read-out magnetic head and magnetic random access memory.
铁磁性金属纳米颗粒薄膜系统中存在的巨磁电阻效应、巨霍尔效应、高矫顽力效应等新特性,使其在磁性传感器件、高密度记录介质、读出磁头和磁性随机存取存储器等研究领域具有广阔的应用前景。
补充资料：霍尔效应（Halleffect）
霍尔效应（Halleffect）
在半导体薄片的两端之间通以电流，如果在与薄片垂直的方向外加一磁场，则电子和空穴在洛伦兹力作用下，将沿着与磁场方向垂直的方向移动。如沿洛伦兹力的方向设置电极，则可检测出电压（霍尔电压）。这个现象称为霍尔效应。霍尔电场EY与电流密度JX和磁感应强度BZ成正比，即EY=RHJXBZ，比例系数RH称为霍尔系数。霍尔系数的数值与正负和半导体的导电类型、载流子浓度、迁移率大小以及温度、样品形状等因素有关。霍尔效应是研究半导体物理性质的一个很重要的方法，可测定载流子浓度、导电类型和霍尔迁移率。利用霍尔效应制成的电子器件称为霍尔器件。由于霍尔器件有在静止状态下感受磁场的能力，而且构造简单、小型、坚固，同时是以多数载流子工作为主、频率响应宽、寿命长、可靠性高，所以在测量技术、自动化技术及信息处理等方面得到广泛的应用。常用材料有硅、锗和迁移率高的砷化镓、锑化铟、砷化铟等Ⅲ～Ⅴ族化合物半导体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条