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1)  passivation in GaN HFET
GaN HFET的钝化
2)  Gallium nitride(GaN)
氮化镓(GaN)
1.
In this paper,molecular dynamic simulation is performed to predict elastic stiffness and bulk modulus for Gallium nitride(GaN) quantum dots with strain.
应用一种分子动力学的方法,模拟预测了氮化镓(GaN)量子点在应变状态下的弹性模量和体积模量。
3)  gallium nitride
GaN
1.
Development of Ion-implantation Research in Gallium Nitride Material;
GaN材料中离子注入的研究进展
2.
Optical and Electrical Properties Studies of Different Ions Implanted Gallium Nitride;
离子注入GaN的光学和电学特性研究
3.
Based on Chin’s theory,which describes the concentration and compensation ratio dependencies of the low-field mobility in gallium nitride in wide concentration ranges (1016~1020cm-3) at room temperature,an analytic model for the compensation ratio of unintentionally doped GaN at room temperature has been obtained.
用数值方法将室温n型GaN补偿度θ表示为Caughey-Thomas解析模型函数。
4)  GaN/Al_2O_3
GaN/Al2O3
1.
Analytical calculation of temperature distribution and thermal deformation during doping of Zn in GaN/Al_2O_3 material induced by nanosecond pulse-width laser;
利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了GaN材料表面温度与激光辐照时间的关系以及材料形变与深度的关系。
5)  GaN-based
GaN基
1.
Application of Wet Chemical Etching in GaN-based Materials;
湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用
2.
GaN-based 512×1 Ultroviolet linear Focal Plane Arrays
GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件
6)  a-GaN
a面GaN
1.
Morphology and defect of a-GaN grown by metal orgamic chemical vapor deposition
利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
补充资料:Ga

元素中文名:镓 原子量:69.735 熔点:9.78c 原子序数:31

元素英文名: gallium 价电子:4p1 沸点:2403c 核外电子排布: 2,8,18,3

元素符号: ga 英文名: gallium 中文名: 镓

相对原子质量: 69.72 常见化合价: +3 电负性: 1.8

外围电子排布: 4s2 4p1 核外电子排布: 2,8,18,3

同位素及放射线: ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]

电子亲合和能: 48 kj·mol-1

第一电离能: 577.6 kj·mol-1 第二电离能: 1817 kj·mol-1 第三电离能: 2745 kj·mol-1

单质密度: 5.907 g/cm3 单质熔点: 29.78 ℃ 单质沸点: 2403.0 ℃

原子半径: 1.81 埃 离子半径: 0.62(+3) 埃 共价半径: 1.26 埃

常见化合物: gao ga2o ga2o3

发现人: 布瓦博德朗 时间: 1875 地点: 法国

名称由来:

拉丁文:gallia(法国)。

元素描述:

柔软的蓝白色金属。

元素来源:

见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。

元素用途:

用于半导体工业,制造led(发光二极管)和砷化镓激光二极管。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条