1) hydrogenated nanocrystalline silicon films
氢化纳米晶硅薄膜
3) Hydrogenated nanocrystalline silicon thin film/Crystalline heterostructure
氢化纳米硅薄膜/单晶硅异质结
4) hydrogenated nano-crystalline silicon thin films
氢化纳米硅(nc-Si,H)薄膜
5) nano-crystalline silicon thin films
纳米晶硅薄膜
1.
Effect of hydrogen dilution on crystalline properties of nano-crystalline silicon thin films in fast growth
氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响
2.
Hydrogenated nano-crystalline silicon thin films(nc-Si∶H) with deposition rate of 0.
4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。
6) silicon nano-crystals
硅纳米晶薄膜
1.
The photoluminescence (PL) of silicon nano-crystals film is our constant aim in the development from micro-electron technique to optoelectronic integrated technique.
硅纳米晶薄膜发光材料在实现微电子技术向光电子集成技术发展中具有重大意义，因此一直是人们不懈追求的目标。
补充资料：辐射探测器用硅单晶
辐射探测器用硅单晶
silicon crystal for radiation detector
fushe toneeqlyong guldonjrng辐射探测器用硅单晶(silieon crystal for ra-diation deteetor)用于X射线探测器的半导体材料。硅可用于制作结型、面晶型、锉漂移型等多种射线辐射探测器。虽然各种探测器都有自己的特殊要求，但其共同的要求是:碳含量低于2x1016/c m3;氧含量低于lxlo‘6/cm“;深能级杂质如铁、镍等低于1丁‘。g/g;少子寿命大于500娜;对微缺陷的种类与分布要进行控制等。这些单晶均用区熔法制成。为达到高纯的目的，要采用基磷与基硼含量很低的多晶，以硅烷法多晶为主。在成晶前需进行多次真空区熔提纯，提纯过程应避免碳等杂质的污染，并保持真空度不高于10一甲a。对n型高阻单晶，现在多采用中子擅变掺杂法以保证良好的均匀性。材料的适用性常以作出探测器的性能参数作为主要的判据。单晶的需求量不大。 (那云英)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条