1) Er-doped nonocrystalline Si film
掺铒纳米硅晶薄膜
3) boron-doped nc-Si∶H film
掺B纳米硅薄膜
4) nano-crystalline silicon thin films
纳米晶硅薄膜
1.
Effect of hydrogen dilution on crystalline properties of nano-crystalline silicon thin films in fast growth
氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响
2.
Hydrogenated nano-crystalline silicon thin films(nc-Si∶H) with deposition rate of 0.
4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。
5) silicon nano-crystals
硅纳米晶薄膜
1.
The photoluminescence (PL) of silicon nano-crystals film is our constant aim in the development from micro-electron technique to optoelectronic integrated technique.
硅纳米晶薄膜发光材料在实现微电子技术向光电子集成技术发展中具有重大意义，因此一直是人们不懈追求的目标。
6) PolySilicon Nano-Film
多晶硅纳米薄膜
1.
In order to apply these characteristic,this paper introduced a method of designing a polysilicon nano-film piezoresistive pressure sensor.
多晶硅纳米薄膜具有优越的应变灵敏特性和稳定的温度特性。
补充资料：纳米晶硅
分子式：
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条