1) standard CMOS technology
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CMOS标准工艺
2) standard CMOS process
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标准CMOS工艺
1.
The Study of Non-Volatile Memory Based on Standard CMOS Process;
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基于标准CMOS工艺的非易失性存储器的研究
2.
18μm standard CMOS process for the purpose of reducing the cost and power of passive RFID tag chips.
18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器。
3.
Based on a standard CMOS process OTP memory cell, a storage density of 32 bits OTP memory is designed.
本文基于一个标准CMOS工艺的OTP存储器单元,设计一个存储密度为32bits的OTP存储器,存储器读取时间为30ns,工作电流为12。
4) standard process
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标准工艺
1.
The resulting data are analyzed by appropriate SPC methods, which make the standard process being under control.
5μmPHEMT开关工艺关键工艺步骤进行定量严格监控,并对关键工艺节点进行工序能力评价(Cpk),运用统计过程控制(SPC)技术对采集的工艺数据进行分析,实现了开关工艺的稳定受控,工艺水平不断提高,砷化镓单片开关的成品率逐步提升;同时采用REM技术对该工艺制作的PHEMT开关器件、无源元件进行可靠性的预先估计,实现了对该标准工艺的可靠性评估。
5) CMOS
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CMOS工艺
1.
10 Gb/s 0.18μm CMOS4∶1 Multiplexer;
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10 Gb/s 0.18μm CMOS工艺复接器设计
2.
6μm CMOS technology.
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采用CSMC0·6μmCMOS工艺设计实现了低压、低功耗的多级运算跨导放大器。
3.
The present status of power amplifier in CMOS process is discussed,and its potential applications in RFID technology are summarized in the paper.
针对国内外射频识别技术的迅猛发展,结合射频识别技术的应用背景,阐述了读写器中最大的耗能器件—功率放大器的研究现状;指出CMOS工艺应用于功率放大器设计的局限性和可行性;最后,探讨了将CMOS功率放大器应用于射频识别技术的主要研究方向。
6) CMOS technology
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CMOS工艺
1.
Low phase noise LC VCO design in CMOS technology;
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CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计(英文)
2.
18 μm CMOS technology.
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18μm CMOS工艺实现的2。
3.
6μm CMOS technology.
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6μm CMOS工艺设计了一种用于光纤通信的跨阻前置放大器。
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条