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1)  Q-DLTS
电荷-深能级瞬态谱
1.
The microstructures and properties of the nano-diamond films were characterized with X-ray diffraction(XRD),Raman spectroscopy,scanning electron microscopy(SEM) and charge-based deep level transient spectroscopy(Q-DLTS).
电荷-深能级瞬态谱(Q-DLTS)测试表明,纳米金刚石薄膜的带隙中引入了一个能级,能级激活能E_a=0。
2)  PDLTS(positron deep level transient spectroscopy)
正电子深能级瞬态谱(PDLTS)
3)  deep level transient spectroscopy
深能级瞬态谱
1.
Pulse neutron radiation induced trap s in neutron-transmutation doped(NTD) Si diodes and their annealing behaviors h ave been investigated by means of deep level transient spectroscopy(DLTS), and c ompared with the results of thermal neutron irradiated samples.
深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 。
2.
A quantum dot (QD), the behavior of which is to capture and emit carriers like a giant trap, is studied using deep level transient spectroscopy (DLTS) technique.
用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,并利用光致发光(PL)和深能级瞬态谱(DLTS)对InAs量子点进行观测。
3.
Using deep level transient spectroscopy,We studies the defect levels of BSF silicon solar cell irradiated by C,O ions.
对BSF硅太阳电池受碳、氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究,结果表明碳、氧离子在硅太阳电池中引入的缺陷能级非常相似。
4)  DLTS
深能级瞬态谱(DLTS)
5)  DLTS
深能级瞬态谱
1.
75 N layer of GaN based light emitting diode (LED) on SiC substrate was studied using deep level transient spectroscopy (DLTS).
利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 。
2.
The fast Fourier transform deep level transient spectroscopy (FFT DLTS) method has the advantages of high sensitivity and high resolution.
相对于传统深能级瞬态谱 (DLTS)方法 ,快速傅立叶变换深能级瞬态谱 (FFT DLTS)方法具有灵敏度高 ,分辨率高等特点 ,但是由于用FFT DLTS方法在处理多能级DLTS系统时存在着系统误差从而限制了该方法的应用 。
3.
Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) was used to study the irradiation-induced defects in GaAs (50A)/GaAlAs (50A) superlattice.
用深能级瞬态谱(DLTS)系统地研究了GaAs(50A)/GaAlAs(50A)超晶格中的电子辐照缺陷,证实其亚稳态特性的存在,对其恢复温度、转变条件进行了研究,指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。
6)  ODLTS
光激发深能级瞬态谱
补充资料:正电子湮没谱学
      一种研究物质微观结构的方法。正电子是电子的反粒子,两者除电荷符号相反外,其他性质(静止质量、电荷的电量、自旋)都相同。正电子进入物质在短时间内迅速慢化到热能区,同周围媒质中的电子相遇而湮没,全部质量(对应的能量为2meс2)转变成电磁辐射──湮没γ光子(见电子对湮没)。50年代以来对低能正电子同物质相互作用的研究,表明正电子湮没特性同媒质中正电子-电子系统的状态、媒质的电子密度和电子动量有密切关系。随着亚纳秒核电子学技术、高分辨率角关联测量技术以及高能量分辨率半导体探测器的发展,可以对正电子的湮没特性进行精细的测量,从而使正电子湮没方法的研究和应用得到迅速发展。现在,正电子湮没谱学已成为一种研究物质微观结构的新手段。
  
  实验测量方法主要有正电子寿命测量、湮没γ角关联测量和湮没谱线多普勒增宽测量三类。
  
  正电子寿命谱方法  通常用22Na作正电子源,源强为几微居里到几十微居里。测量设备类似核能谱学中常用的符合系统,称之为正电子寿命谱仪(见彩图),图1是快-快符合系统方框图。谱仪时间分辨率一般为3×10-10s左右,最好的已达1.7×10-10s。
  
  22Na放射的正电子入射到测试样品中,同其中的电子发生湮没,放出γ射线。用1.27MeV的γ光子标志正电子的产生,并作为起始信号,511keV的湮没辐射γ光子标志正电子的"死亡",并作为终止信号。两个信号之间的时间就是正电子的寿命。在凝聚态物体中,自由正电子湮没的平均寿命在(1~5)×10-10s范围内。
  
  双γ角关联方法  图2是一维长狭缝角关联测量系统示意图。正电子源通常为64Cu、22 Na、Co,测量时相对于固定探头以z方向为轴转动另一探头,测出符合计数率随角度的分布,就可以得到电子在某个方向上的动量分布。该方法要求高精度的机械设备和强源(几十毫居里的点源),典型的角分辨率为0.5mrad。有些工作采用多探测器系统可作两维动量分布的测量。
  
  测量多普勒增宽谱  使用高能量分辨率Ge(Li)或高纯锗半导体探测器,测量湮没辐射的能谱。能量分辨率可达1keV(对85 Sr,514keV的γ射线)左右。这种方法的优点是只需用几微居里的弱源,获取数据快,适用于动态研究。缺点是获取的数据粗糙,对湮没电子动量的分辨不如角关联实验好,典型情况下差四倍。
  
  正电子湮没技术可用来研究物质微观结构及其变化。在固体物理中应用最广泛。可用来研究晶体缺陷(空位、位错和辐照损伤等),固体中的相变,金属有序-无序相变等。
  
  在无损检验中可用来探测机械部件(如轮机叶片、飞机起落装置)的疲劳损伤,可在小裂缝出现之前作出预报。在化学中可用于研究有机化合物的化学反应,鉴定有机物结构中的碳正离子,研究聚合物的微观结构等。在生物学中,研究生物大分子在溶液中的结构。医学上,用正电子发射断层扫描仪,可得到人的心脏、脑和其他器官的断面图像,研究它们的新陈代谢过程,作出疾病的早期诊断及肿瘤的早期发现。(见彩图)
  
  电子偶素作为惟一的轻子体系,是验证量子电动力学的一个理想的体系。
  

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参考词条