1) gallium nitride nanowire
氮化镓纳米线
1.
Template growth of gallium nitride nanowires was demonstrated by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) with carbon nanotubes as templates in this paper.
通过金属有机物化学气相沉积方法在碳纳米管模板上生长氮化镓纳米线束。
2) the gallium nitride nanocrystalline
氮化镓纳米晶
3) Si3N4 nanowires
氮化硅纳米线
1.
X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used to study the effects of reaction conditions (catalysts,reaction temperature and time) on the crystalline phases and morphologies of the carbothermal reaction products in the sol-gel synthesis of Si3N4 nanowires.
采用X射线衍射和扫描电子显微镜技术,考察了溶胶-凝胶法制备氮化硅纳米线过程中反应条件(添加剂种类和含量、反应时间以及反应温度)对碳热还原产物组成和形貌的影响。
4) III-nitride nanowires
III族氮化物纳米线
5) nano-Si_3N_4
纳米氮化硅
1.
Nano-size Si_3N_4 was modified with a macromolecular coupling agent which was synthesized by ourselves,and nano-Si_3N_4/nitrile-butadiene rubber(NBR) composites were prepared by direct blending.
采用试验室自制的大分子偶联剂对纳米氮化硅进行表面处理,并制备 Si_3N_4/NBR 纳米橡胶复合材料。
6) Nano-iron nitride
纳米氮化铁
补充资料：氮化镓
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条