1) Ti-Al film
钛-铝薄膜
1.
An amorphous Ti-Al film,on which Cu film was in situ prepared,was deposited on the Si(100) substrate by radio frequency(RF) magnetron sputtering to fabricate Cu(100 nm)/Ti-Al(40 nm)/Si samples.
采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40 nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100 nm的铜薄膜,制备了铜膜/钛-铝膜/硅试样;对试样分别在400~800℃内进行真空退火处理,用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析。
2) titanium film
钛薄膜
1.
The peculiarities of local oxidation process of ultra thin amorphous titanium films by scanning probe microscopy and the nanoscale lithography on the film surface by this local oxidation process are discussed.
我们讨论用扫描探针显微技术研究超薄无序钛薄膜局域氧化过程 ,并利用此氧化过程实现薄膜表面纳米尺度网板修饰。
3) rich Ti thin film
富钛薄膜
5) ultra-thin titanium film
超薄钛膜
6) Al thin film
铝薄膜
1.
Process technology for Al thin film deposited by DC magnetron sputtering;
直流磁控溅射制备铝薄膜的工艺研究
2.
The results show that the Al thin films are pure aluminum film with very fine grain.
采用直流磁控溅射法,在硅基片上制备铝薄膜。
3.
Process of Al thin film growth and its interaction with UO2 were investigated by auger electron spectroscopy(AES) and electron energy loss spectroscopy(EELS).
沉积过程中实时采集UO2表面的AES谱和低能电子损失谱(EELS),原位分析铝薄膜在UO2表面的生长过程和膜间界面反应。
补充资料：氮化钛薄膜电阻材料
分子式：
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条