1) a-Si/a-SiNx superlattices
a-Si/a-SiNx超晶格
2) Si/SiNx superlattice
Si/SiNx超晶格
1.
In order to study preparation process recipes and nonlinear optical properties of Si/SiNx superla-ttice,Si/SiNx superlattice has been fabricated by RF magnetron sputtering technique and thermal annealing.
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料。
3) Si/Ge superlattices
Ge/Si超晶格
1.
Si/Ge superlattices were grown at low temperature with modified Stranski-Krastanov (SK) MBE method.
低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格,X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构,这种组分结构可以用一平均成分的SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度,旋转样品进行的X射线散射研究表明,这种SiGe的混合是各向同性的,这与透射电子显微镜的研究结构相一致。
5) e)_5/(Si)_5 superlattice
(Ge)5/(Si)5超晶格
6) nc-Si/SiN_x superlattice thin film
nc-Si/SiN_x超晶格薄膜
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条