1) omnidirectional forbidden band
全方位禁带
1.
To implement the omnidirectional forbidden band of 1-D binary photonic crystals,the transfer matrix method is used to study the structural features of the forbidden band of 1-D photonic crystals without Brewester effect.
为了实现一维二元光子晶体的全方位禁带,利用传输矩阵法,对于不发生Brewester效应的一维光子晶体的禁带结构特点进行了研究,获得了TE波和TM波的反射率随频率和入射角的变化关系图,分析了TE波和TM波光子禁带特征。
2) complete picture of forbidden band
禁带全貌
3) complete forbidden band
完全禁带
1.
Theoretical analysis of optimum parameters for complete forbidden bands of three-dimensional photonic crystals with typical lattice structures;
三维光子晶体典型结构完全禁带的最佳参数理论分析
4) absolute band gap
完全禁带
1.
A revised plane-wave expansion method for quickly calculating the band structure of a photonic crystal of pixel type is used to design a photonic crystal of triangular lattice with a large absolute band gap.
把用于计算正方晶格的快速平面波方法 ,经修正使之适用于计算长方晶格光子晶体的带结构 ,数值分析了一种具有稳定的较大完全禁带宽度的GaAs三角晶格光子晶体结构 ,这种三角晶格原胞可以用一个矩形 (晶格常数为a ,b ,且a >b)单胞来处理 ,经优化得到完全禁带宽度为Δω=0 136 4ωe(ωe =2πc a ,a为晶格常数 ,c为光速 ) ,中心频率为ωmid =1 0 4 4 4ωe,禁带宽度与中心频率比值达到了 13 1% 。
5) complete bandgap
完全禁带
1.
Study of complete bandgap of two-dimensional columnar photonic crystals;
二维圆柱形光子晶体的完全禁带研究
2.
The relation between complete bandgap and three main influence factors,lattice structure,fill ratio,dielectric constant ratio of 2D dielectric-column photonic crystals with GaAs,Si,Ge,is studied using Bandsolve software,respectively.
利用Bandsolve软件分别优化计算得到GaAs、Si、Ge三种材料的二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与晶格结构、填充比、介电常数比三个主要影响因素之间的关系。
3.
The relation between complete bandgap and three main influence factors, lattice struct.
目前,二维光子晶体完全禁带以及缺陷特性仍然是该领域的重要研究方向。
6) complete band gap
完全禁带
1.
Results show that:there is complete band gap in the four structures of two-dimensional photonic crystal.
研究发现:这四种二维光子晶体结构都存在完全禁带。
补充资料：禁带
见固体的能带。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条