3) stacking fault tetrahedra
堆垛层错四面体
1.
The results reveal that large numbers of vacancy cells including dislocation loop and even stacking fault tetrahedra(SFT) can be formed in the specimens of polycrystalline pure aluminum irradiated with HCPEB.
HCPEP辐照后,在辐照表层内形成了大量的四方形空位胞,其间包含位错圈和堆垛层错四面体(SFT)等类型的空位簇缺陷。
4) Tetrahedral layer
四面体层
5) stacking fault polyhedrons
堆垛层错多面体
6) silica,layer
硅氧(四面体)层
补充资料：层错
层错
stacking fault
层错stacking fauit晶体原子层理想完整堆垛次序中出现的一个差错限排)。全称堆垛层错。是晶体中常见的一种面缺陷。以fcc晶体为例说明。fcc晶体fec理想堆垛可以视为由全同的{111}原子面密积堆垛而成(见图)。如称第一层为A，则第二层落在B位置，第三层落在C位置，第四层又为A位置。如此重复堆垛，形成无限序列…A B C A BC…，这就是理想的完整晶体。若有某生个B层在A层之上整个滑’移到C位置(1/6<112>滑移)，即是实现如下的进程: …ABC ABC ABC… CA BCA…于是原序列…A B C A B C A BC.二变为 .”A B cA{一c A B c A Bc…可见在l标记之处出现一个堆垛次序之误排，这里就是一个层错。在l处抽去一个B层，让上面的C层落下至A层之上，也形成同样的层错。在fcc晶体中通常有3种主要的设想的操作过程形成层错:①{111}面的1/6(112>滑移;②抽去一个{111}层，并令上下岸弥合;③插入一个{111}层。后两种过程可以通过空位或1 14填隙原子的凝聚而实现。 hcp晶体在(0001)面也可以形成层错。(0001)面的堆垛次序为…ABABAB.一若变为…ABA那BCB…，则在l处出现一个层错。bcc晶体{112}面为6层，为一个周期的堆垛，在此面上也可形成层错。其他各种不同晶体中可能出现的层错形式视其结构差异而不同。 层错单位面积的表面能称为层错能，一般记为补在密集结构晶体中，层错的引入不改变最近邻关系，只改变次近邻关系，且几乎不产生畸变，所以层错能的主要来源应是电子能。层错能可以用电子显微术观察而实测，或从一些其他观测结果推出，也可以理论计算。其数值例如在AI中为数百尔格每平方厘米，而在Au中则仅数十尔格每平方厘米。 层错的边界为不全位错，层错的存在和性质制约这些不全位错的运动。(杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条