1) nonbasal stacking fault
非基面层错
1.
(1 2 8)nonbasal stacking faults in Cu-Zn-Al shape memory alloy have been determined as(1 3 7)by transmision electron icroscopy.
利用透射电子显微镜精确地测定了CuZnAl形状记忆合金马氏体相中（128）18R非基面层错的层错面为（137）。
2) basal stacking faults
基面层错
1.
The evolution of microstructure inside twinning consists of parallel basal stacking faults,parallel dislocation arrays of different orientations to twin boundary and dislocation cells.
孪晶内部的微观特征演化过程包括:1)平行排列基面层错的出现;2)与孪晶界成特定角度平行排列位错线的形成;3)位错胞的产生。
3) changing of the relative positions movement of lay
层面错动
4) faulted bedding plane
错动层面
5) planar cross-bedding
平面交错层
补充资料：胎面错花、错力
分子式：
CAS号：
性质：又称胎面错花、错力。指胎面花纹周向位移，偏离设计位置的现象。
CAS号：
性质：又称胎面错花、错力。指胎面花纹周向位移，偏离设计位置的现象。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条