1) flaw existence
缺陷存在
1.
The theory is that:the human is a "flaw existence" since its origin,which determines that it must have a substitute technology as a supplement to constitute a "person-technical" structure in order to survive.
该理论认为:由于人类自起源起就是一个"缺陷存在",这就决定了它从一开始就必须要有一个作为"代具"的技术来补充,从而构成"人-技术"的结构以便生存下去,因而人是代具性的存在。
2) Major Defective
存在主要缺陷的产品
3) internal defect
内在缺陷
1.
There are internal defects in bureaucracy system in terms of organizational system which ought to be with high efficiency and stabilization as its advantages, it appears with limited efficiency and op- pressed humanity, the ultimate reason for this is that instrumental rationality conflicts with value rationali- ty.
以效率和稳定见长的官僚体制作为一种组织体制是有着内在缺陷的，其外在表现是效率的有限性 和对人性的压抑，根本原因则是工具理性的缺陷及其与价值理性的冲突。
2.
Combining the ESO theory and practice and based on the value confirming of the ESO system, this thesis discusses emphatically the internal defects of the ESO system and its improving ways
本文结合经理股票期权的理论和实践,在肯定经理股票期权制度价值的基础上,着重探讨了经理股票期权制度的内在缺陷及改进途径,指出经理股票期权的实际激励效果与理论存在差距的根本在于制度设计本身存在着三大缺陷:业绩评价及激励股价化,即单纯以市场股价作为经营者及公司业绩的考核指标,并由股票的市场价格决定经营者收益的有无和多寡,使激励因受到系统因素的影响而发生扭曲;风险与收益不对称,即对经营者只有“奖”而没有“罚”,只有利益共享,没有风险共担;激励无“度”,即缺乏客观、公正、合理的激励标准及科学合理的业绩评价指标,导致股票期权的授予条件过于宽松,授予数量过多,使经理股票期权沦为一种加剧企业收入分配不公平的工具。
4) latent defect
潜在缺陷
1.
Some special latent defects existed in PEM because of its structure and materials.
塑封器件由于其结构和材料等因素的影响,存在一些特有的潜在缺陷,在其装入整机之前必须经过检验以降低风险。
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条