1) stimulation cross
受激截面
1.
In this paper the stimulation cross and gain coefficient of Nd:YVO4 is different along with the incident light with different polarization state is discussed,the result is given from the experiment,that is stimulation cross changes from 21.
Nd:YVO4是一种重要的激光晶体,广泛的应用到各种激光器中,本论文着重阐述不同的偏振光对应Nd:YVO4的受激发射截面不同从而导致该谱线的增益不同,并从实验上给出了定量的结果,实验表明对于a-cut的Nd:YVO4当偏振态由π到σ变化时,受激截面由21。
2) stimulated-emission cross-section
受激发射截面
1.
The calculation of stimulated-emission cross-section and the testing of fluorescence lifetime of Nd∶GGG crystal;
Nd∶GGG晶体荧光寿命的测试及受激发射截面的计算
2.
The integrated absorption cross-sections at 810 nm and the stimulated-emission cross-sections at 1.
06μm处的受激发射截面都是最大的。
3) Stimulated emission cross section
受激发射截面
1.
Techniques for measuring the polarized absorption spectrum,polarized stimulated emission cross section and fluorescent lifetime of Nd:YAP crystal are fully discussed.
从分析Nd:YAP和Nd:YAG两种激光晶体的优缺点入手,指出前者的各向异性能够提供许多特殊的用途,讨论了它的能级和光谱特性,详细介绍了该晶体偏振吸收谱、偏振受激发射截面谱和荧光寿命的测量方法,并给出了两块沿a轴切割的Nd:YAP晶体的测量结果和分析。
2.
The description about the effective stimulated emission cross section of R_2→Y_3 transition of Nd∶YAG crystal in the book "Solid-State Laser Emgineering"written by W.
Koechner先生所著的《Solid-StateLaserEngineering》一书中关于Nd∶YAG晶体R2→Y3跃迁有效受激发射截面的描述进行讨论。
3.
By using the experimentally measured threshold data and slope efficiency, the stimulated emission cross section of Nd∶GdVO 4 crystal was determined to be 1.
利用实验测得的阈值抽运功率和斜率效率 ,计算了Nd∶GdVO4晶体在 1 34μm波长处的受激发射截
4) stimulated emission cross-section
受激发射截面
1.
The radiative transition probabilities(A)and the stimulated emission cross-sections(σ_e)of Eu~ 3+ ion between ~5D_0 and ~7F_J(J=1,2,4)are obtained.
从发射光谱出发获得了Eu3+光学跃迁的J-O参数Ω2、Ω4,并计算了Eu3+离子5D0→7FJ(J=1,2,4)的自发辐射跃迁几率A以及受激发射截面σp。
5) stimulated emission cross sections
受激发射截面
1.
The stimulated emission cross sections of Er3+in tellurite glass was calculated,σemi = 9.
应用MeCumber理论计算了Er3+在碲酸盐玻璃中的受激发射截面σemi=9。
6) stimulated emission section
受激辐射截面
补充资料：自发发射和受激发射
电子自高能态自发地跃迁到低能态同时发射出光的现象，称为自发发射；电子自高能态受到光的激发而跃迁到低能态，同时发射与激发光的相位、偏振方向和传播方向相同的光，称为受激发射。原子中的电子与外界交换能量而改变其运动状态，称为跃迁。在孤立原子中，这些能量是分立的，称为能级。图a中的两个能级E1和E2,分别称为高能级和低能级。对于同一元素的原子，能级的情况完全相同。
当许多原子紧密地排列在一起形成晶体(半导体)的情况下，能级分裂成能带（图b 中）。能带中能级的数目与晶体中原子的数目相对应。因此，能带中的能级非常密集，形成准连续分布。
处于高能级上一个状态的电子自发地跃迁到低能级上的一个状态时，发射一个能量ε=E1-E2的光子。单位时间内自发发射的几率为
rsp(ε)＝Af1(1-f2)
(1)式中A是自发发射系数，f1和f2分别是这两个能级上的状态被电子占据的几率。自发发射光具有不同的相位、偏振方向和传播方向，因而是非相干光。
处于高能级上一个状态的电子，在光子密度为ρ(ε)的入射光作用下，跃迁到低能级上的一个状态时，发射一个能量为ε 的光子。单位时间内受激发射几率为
(2)Be是受激发射系数。受激发射光具有与入射光完全相同的相位、偏振方向和传播方向，因而是入射光的相干光。
处于低能级上一个状态的电子，在光子密度为ρ(ε)的入射光作用下，跃迁到高能级上的一个状态，吸收一个能量为ε 的光子，称为受激吸收。单位时间内受激吸收几率为
(3)Ba是受激吸收系数。
光子密度ρ(ε)是单位体积单位能量间隔内能量为ε的光子数。
A、Be和Ba之间满足如下关系（称为爱因斯坦关系）：
(4)
(5)n是物质的折射率，c是光在真空中的速度,h是普朗克常数。
由式(2)～(4)得到单位时间内净受激发射几率为
(6)只当f1＞f2时,才有rst(ε)＞0；f1＜f2表示电子正常分布，f1＞f2表示电子反常分布。因此净受激发射的条件就是电子反常分布。而这个反常分布只能通过外界能源的激励来实现。
能级间跃迁与能带间跃迁的光谱宽度明显不同。例如，在氦－氖混合气体中，每个氖原子都相当于孤立原子，电子是在两个能级之间跃迁，因而光谱甚窄；而在砷化镓晶体（半导体）中，电子是在两个能带之间跃迁，因而光谱较宽。
在光源中，自发发射光占主要地位时称为荧光，受激发射光占主要地位时称为激光。根据自发发射和受激发射的原理，人们研制出各种各样的荧光灯和激光器。
当许多原子紧密地排列在一起形成晶体(半导体)的情况下，能级分裂成能带（图b 中）。能带中能级的数目与晶体中原子的数目相对应。因此，能带中的能级非常密集，形成准连续分布。
处于高能级上一个状态的电子自发地跃迁到低能级上的一个状态时，发射一个能量ε=E1-E2的光子。单位时间内自发发射的几率为
rsp(ε)＝Af1(1-f2)
(1)式中A是自发发射系数，f1和f2分别是这两个能级上的状态被电子占据的几率。自发发射光具有不同的相位、偏振方向和传播方向，因而是非相干光。
处于高能级上一个状态的电子，在光子密度为ρ(ε)的入射光作用下，跃迁到低能级上的一个状态时，发射一个能量为ε 的光子。单位时间内受激发射几率为
(2)Be是受激发射系数。受激发射光具有与入射光完全相同的相位、偏振方向和传播方向，因而是入射光的相干光。
处于低能级上一个状态的电子，在光子密度为ρ(ε)的入射光作用下，跃迁到高能级上的一个状态，吸收一个能量为ε 的光子，称为受激吸收。单位时间内受激吸收几率为
(3)Ba是受激吸收系数。
光子密度ρ(ε)是单位体积单位能量间隔内能量为ε的光子数。
A、Be和Ba之间满足如下关系（称为爱因斯坦关系）：
(4)
(5)n是物质的折射率，c是光在真空中的速度,h是普朗克常数。
由式(2)～(4)得到单位时间内净受激发射几率为
(6)只当f1＞f2时,才有rst(ε)＞0；f1＜f2表示电子正常分布，f1＞f2表示电子反常分布。因此净受激发射的条件就是电子反常分布。而这个反常分布只能通过外界能源的激励来实现。
能级间跃迁与能带间跃迁的光谱宽度明显不同。例如，在氦－氖混合气体中，每个氖原子都相当于孤立原子，电子是在两个能级之间跃迁，因而光谱甚窄；而在砷化镓晶体（半导体）中，电子是在两个能带之间跃迁，因而光谱较宽。
在光源中，自发发射光占主要地位时称为荧光，受激发射光占主要地位时称为激光。根据自发发射和受激发射的原理，人们研制出各种各样的荧光灯和激光器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条