2) GaN/AlN quantum dot
GaN/AlN量子点结构
1.
The calculation of electronic structure in GaN/AlN quantum dots with finite element method;
有限元法计算GaN/AlN量子点结构中的电子结构
2.
An effective method is introduced to investigate the strained fields and piezoelectric effect in GaN/AlN quantum dots (QDs) with hexagonal truncated pyramid shape.
从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度。
3) quantum dot-quantum well (QD-QW) structure
量子点-量子阱结构
4) Quantum-dot Quantum well structure
量子点量子阱结构
5) Ge-dots/Si multilayered structure
Ge/Si量子点多层结构
6) QD fine-structure spectra
量子点精细结构光谱
补充资料：量子点
量子点(quantum dot)是准零维(quasi-zero-dimensional)的纳米材料，由少量的原子所构成。粗略地说，量子点三个维度的尺寸都在100纳米(nm)以下，外观恰似一极小的点状物，其内部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子局限效应(quantum confinement effect)特别显著。由于量子局限效应会导致类似原子的不连续电子能阶结构，因此量子点又被称为「人造原子」(artificial atom)。科学家已经发明许多不同的方法来制造量子点，并预期这种纳米材料在二十一世纪的纳米电子学(nanoelectronics)上有极大的应用潜力。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条