1) quantum well structure
量子阱结构
1.
The GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index separate confinement single quantum well structure has been grown by MBE method.
利用分子束外延生长法生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。
2.
Its self-assembling quantum well structures of.
其结构特征是形成了无机半导体层和有机层交替堆积的量子阱结构,从而具有较大的激子结合能和优异的光、电、磁性能,显示出广阔的应用前景;同时,对该类材料的研究,必将推动半导体材料理论的发展,引起科学界的广泛关注。
2) quantum well structures
量子阱结构
1.
56)/InP quantum well structures was calculated by using 4×4 Luttinger-Kohn Hamiltonian matrix under effective mass frame.
56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1。
3) quantum-well structure
量子阱结构
1.
The development of the organic quantum-well structure devices was introduced systemically.
制备了普通的有机量子阱结构 ,并对结构进行了表征。
4) strained quantum well structure
应变量子阱结构
5) Ⅱtype strained quantum well
Ⅱ型量子阱结构
6) ZnMgO/ZnO multiple quantum wells structures
ZnMgO/ZnP量子阱结构
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条