1) energy level shifts
边带能
2) band-edge energy
带边能量
3) side band
边频带，边能带，边带
4) energy band edges structures
能带边结构
5) band edge
能带边缘<冶>
6) energy band offset
能带边失调值
1.
According to the materials parameters and experimental data, we attained the energy band figures before and after forming the heterojunction, and calculated their energy band offset ΔEC,ΔEV.
3Se2(CIGs)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值△EC、△EV。
2.
3Se2, OVC, CdS and ZnO thin films, we attain the energy band figures before and after forming the heteroj unction, and calculate their energy band offset △ Ec、 △EV.
3Se2、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值△Ec、△Ev。
补充资料：边带
1.邻接，毗连。 2.边境地带。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条