1) Multi-seeding
多层籽晶法
2) seed layer
籽晶层
1.
At first the acid chemical plating of Cu is employed to fabricate the copper seed layer on TiN barrier,and then the alkaline chemical plating of Cu is followed to achieve Cu films.
首先采用分离酸性化学镀方法在TiNi/Ti/SiO2/Si基板的TiN进行化学镀,制造一层铜籽晶层,而后采用碱性化学镀铜方法制造铜膜。
2.
3) ceramic target containing 10% excess Pb on PZT(seed layer)/Pt/Ti/SiO2/Si substrates.
用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)／Pt／Ti／SiO2／Si上用射频磁控溅射过量10％Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0。
3.
The recent development and challenges of 100nm technology in barriers and seed layers,low-k dielectric,metrology and lithography are reviewed.
从势垒层和籽晶层、低 k介质、检测和计量以及光刻等方面详细阐述了 1 0 0 nm技术的开发情况及其所面临的问题。
4) "point-seed" method
"点籽晶"法
5) TSSG
顶部籽晶法
1.
A new Nd-activated nonlinear crystal,Na3(La1-xNdx)9O3(BO3)8(Nd:NLBO)with x=3%,was grown by the top-seeded solution growth(TSSG) method.
采用顶部籽晶法生长出掺杂浓度为3%的Nd:Na3La9O3(BO3)8(Nd:NLBO)晶体。
2.
Using top-seeded solution growth(TSSG) method with H3BO3(4N),Li2CO3(4N) and Cs2CO3(4N) as reactants and the mol ratio of Li2CO3:Cs2CO3:H3BO3=1∶1∶11,large CLBO crystal with dimensions of 65 mm×22 mm×12 mm had been grown,and the growth conditions of the CLBO crystal were studied.
以高纯硼酸、碳酸锂和碳酸铯为原料,摩尔比硼酸:碳酸锂:碳酸铯=11∶1∶1,采用顶部籽晶法,生长出尺寸为65 mm×22 mm×12 mm CsLiB6O10(CLBO)单晶,探讨了影响CLBO晶体生长的因素。
6) bottom seeded solution growth
底部籽晶法
1.
A novel crystal growth technique, the bottom seeded solution growth (BSSG), has been developed for crystal growth from high temperature solutions.
为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料,发展了一种叫做“底部籽晶法”的新生长方法。
补充资料：晶界层电容器
分子式：
CAS号：
性质：由半导化晶粒和晶界绝缘层所形成的一类陶瓷电容器。其晶粒为n型半导体，电阻率约为102～105Ω·cm或更低，晶粒发育较好，尺寸约20～100μm或更大，晶粒与晶粒之间为极薄的绝缘层，厚度仅为十分之几微米到数微米。制品具有介电常数很高，约数万到数十万，介质损耗较低，温度系数较小，在低电压和低阻抗晶体管等线路中显示出非常优良的性能。主要有钛酸钡系和钛酸锶系两类。工艺特点为施主掺杂半导化，空气中一次烧成或施主掺杂高温中性(氮气)或通氢还原烧成后，再经涂覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层，即二次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子计算机、汽车和电子电路中。
CAS号：
性质：由半导化晶粒和晶界绝缘层所形成的一类陶瓷电容器。其晶粒为n型半导体，电阻率约为102～105Ω·cm或更低，晶粒发育较好，尺寸约20～100μm或更大，晶粒与晶粒之间为极薄的绝缘层，厚度仅为十分之几微米到数微米。制品具有介电常数很高，约数万到数十万，介质损耗较低，温度系数较小，在低电压和低阻抗晶体管等线路中显示出非常优良的性能。主要有钛酸钡系和钛酸锶系两类。工艺特点为施主掺杂半导化，空气中一次烧成或施主掺杂高温中性(氮气)或通氢还原烧成后，再经涂覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层，即二次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子计算机、汽车和电子电路中。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条