1) FEDRAM
铁电动态随机存储器
1.
A Modified Macro Model of FEFET for FEDRAM Application
模拟结果与FEFET实验结果比较,显示该模型能够很好地反映铁电材料的疲劳等因素引起的FEFET的存储性能退化,为FEDRAM(铁电动态随机存储器)设计和优化提供了一个良好的模型基础。
2) ferroelectric random access memo-ry
铁电动态随机存取存储器
3) ferroelectric random access memories (FeRAM)
铁电随机存储器
1.
Recently, rare-earth lanthanides doped Bi4Ti3Oi2 (BIT) with Bi-layered perovskite structure has been studied intensively for potential applications in ferroelectric random access memories (FeRAM) due to its relatively low crystallization temperature, good fatigue endurance and larger spontaneous polarization compared to SrBi2Ta2O9 (SBT)-based films.
近年来，稀有金属离子掺杂的钛酸铋(Bi_4Ti_3O_(12)，简写为BTO)铁电薄膜成为研究的热点，这种材料结晶温度较低、抗疲劳特性好、自发极化较大(相对SrBi_2Ta_2O_9薄膜来说)，所以可望成为新的铁电随机存储器(FRAM)专用材料。
4) dynamic random access device
动态随机存储器
1.
Due to the above characteristics, Ba xSr 1-xTiO 3 thin films show promising applications in high-density dynamic random access devices(DRAMs).
铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能 :高的介电常数 ,较低的介电损耗 ,好的绝缘漏电性能 ;而且 ,通过调节材料中的Ba/Sr成分比 ,可改变材料的居里相变温度TC,以满足特定应用环境的温度需要 ,在超高密度集成的动态随机存储器 (DRAM)方面表现出广阔的应用前景 。
5) DRAM
动态随机存储器
1.
Simulation of the Parasitic Interconnect Capacitance in the DRAM with the Stacked Structures;
动态随机存储器中堆叠电容器结构的互连寄生电容模拟
2.
Advance and future prospect for fabricating technology of DRAM IC chips;
动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望
3.
In this review fundamental concept and principles of organic electrical memory devices are summarized,followed by featured performance on dynamic random access memory(DRAM),write-once read-many times memory(WORM) and flash memory cell from organic-inorganic nanocomposites,all organic materials,and organic metal complexes.
本文介绍了有机电存储器的基本概念与原理,分类论述了有机/无机纳米杂化电双稳态材料、有机/聚合物电双稳态材料以及有机金属配合物电双稳态材料的最新研究成果,讨论原型动态随机存储器、一次写入多次读取存储器以及非易失性闪存存储器的实现,同时总结电开关与存储的形成机制,主要包括场致电荷转移机制、丝状电导机制、构象转变与相变机制、载流子俘获释放机制以及氧化还原机制,并展望今后的研究工作。
补充资料：随机存取存储器(见半导体存储器)
随机存取存储器(见半导体存储器)
random access memory,RAM
s日1}}Cunq日Ct旧choql随机存取存储器random aeeess memoryRAM)见半导体存储器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条